Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)

Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)

Транзисторная пара 2SD718 2SB688 B688 D718 (18468)
Транзистор полевой N-MOSFET IRFB3006GPBF 60V 270A TO220 (17156)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220. Транзистор выпаян, ножки разной длины, но все готовы к пайке.
26,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-17212
Описание
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220. Транзистор выпаян, ножки разной длины, но все готовы к пайке.
Подробнее о товаре
bg-17212

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
В корзину
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)

15,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
В корзину
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)

12,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
В корзину
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

8,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
В корзину
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)

12,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
В корзину
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

49,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти