Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)

Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220 (17212)

Транзисторная пара 2SD718 2SB688 B688 D718 (18468)
Транзистор полевой N-MOSFET IRFB3006GPBF 60V 270A TO220 (17156)
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220. Транзистор выпаян, ножки разной длины, но все готовы к пайке.
28,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-17212
Описание
Транзистор силовой части Xiaomi M365 ST Electronics STP15810 MOSFET N-Channel 100V 110A TO-220. Транзистор выпаян, ножки разной длины, но все готовы к пайке.
Подробнее о товаре
bg-17212

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
В корзину
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)

6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)
В корзину
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)

10,00 грн
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: CJE13007Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
В корзину
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

54,00 грн
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
В корзину
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)

14,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
В корзину
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

15,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
В корзину
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)

3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
В корзину
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти