Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 125 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130 Корпус транзистора: SOT23
9,00 грн
Артикул:
bg-11684
Описание

Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92.

Технические характеристики

Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 125 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130 Корпус транзистора: SOT23
Подробнее о товаре
bg-11684

Характеристики

Наименование производителя
A1015 Тип материала
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
40,00 грн
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
В корзину
13,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально...
27,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
В корзину
11,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры