Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 125 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130 Корпус транзистора: SOT23
9,00 грн
Артикул:
bg-11684
Описание

Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92.

Технические характеристики

Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 125 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130 Корпус транзистора: SOT23
Подробнее о товаре
bg-11684

Характеристики

Наименование производителя
A1015 Тип материала
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
16,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
61,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
4,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
25,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры