Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)

Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)

Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор N-CH Mosfet IRFP450 500V 14A TO218 (14574)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В - ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм - 550 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125 Крутизна характеристики, S - 8.9 Корпус - to220ab Пороговое напряжение на затворе - 4
12,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-11168
Описание

Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A.

Технические характеристики

  • Структура - n-канал
  • Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400
  • Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В - ±20
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм - 550
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
  • Крутизна характеристики, S - 8.9
  • Корпус - to220ab
  • Пороговое напряжение на затворе - 4
Подробнее о товаре
bg-11168
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
В корзину
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
В корзину
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
Поделиться
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
В корзину
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)

6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
В корзину
Поделиться
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
В корзину
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)

61,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
Поделиться
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
В корзину
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

70,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
В корзину
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

50,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
В корзину
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти