Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)

Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В - ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм - 550 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125 Крутизна характеристики, S - 8.9 Корпус - to220ab Пороговое напряжение на затворе - 4
12,00 грн
Артикул:
bg-11168
Описание

Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A.

Технические характеристики

  • Структура - n-канал
  • Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400
  • Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В - ±20
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм - 550
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
  • Крутизна характеристики, S - 8.9
  • Корпус - to220ab
  • Пороговое напряжение на затворе - 4
Подробнее о товаре
bg-11168
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
45,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры