Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)

Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)

Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 5 Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120 Корпус транзистора: SOT23 * цена указана за 5 штук
6,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-11682
Описание

Транзистор S9012 К-92 PNP.

Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 5 Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120 Корпус транзистора: SOT23 * цена указана за 5 штук
Подробнее о товаре
bg-11682

Характеристики

Наименование производителя
S9012 Тип материала
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

15,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
В корзину
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)

63,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
Поделиться
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
В корзину
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

4,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
Поделиться
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
В корзину
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)

17,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
В корзину
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)

19,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
Поделиться
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
В корзину
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти