Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)

Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)

Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 Корпус транзистора: SOT89
3,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12519
Описание
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 Корпус транзистора: SOT89
Подробнее о товаре
bg-12519

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
В корзину
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

12,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
В корзину
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

50,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
В корзину
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти