Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 237 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 120 nCВремя роста (tr): 35 nsВыходная емкость (Cd): 902 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0085 OhmТип корпуса: TO220FB
14,00 грн
Артикул:
bg-19222
Описание
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3210P
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 237 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
  • Время роста (tr): 35 ns
  • Выходная емкость (Cd): 902 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FB
Подробнее о товаре
bg-19222

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FB
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
237 W
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
120 nC
Выходная емкость (Cd)
902 pf
Наименование прибора
HY3210P
Время роста (tr)
35 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0085 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое...
16,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
9,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO -...
В корзину
9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
В корзину
27,00 грн
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW.Транзистор 90N04, используется для ремонта и восстановления поврежденных элементов системы зажигания в автомобильных блоках управления DME BMW N13, N20,N55.
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры