Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 237 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 120 nCВремя роста (tr): 35 nsВыходная емкость (Cd): 902 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0085 OhmТип корпуса: TO220FB
15,00 грн
Артикул:
bg-19222
Описание
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3210P
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 237 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
  • Время роста (tr): 35 ns
  • Выходная емкость (Cd): 902 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FB
Подробнее о товаре
bg-19222

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FB
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
237 W
Время роста (tr)
35 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0085 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
120 nC
Выходная емкость (Cd)
902 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
HY3210P
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
18,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
14,00 грн
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно...
В корзину
29,00 грн
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
4,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
10,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры