Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

Транзистор MXP8828AL для IRFP2907 280 A 88V TO-247 (19223)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 237 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 120 nCВремя роста (tr): 35 nsВыходная емкость (Cd): 902 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0085 OhmТип корпуса: TO220FB
14,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19222
Описание
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3210P
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 237 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 100 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 120 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
  • Время роста (tr): 35 ns
  • Выходная емкость (Cd): 902 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FB
Подробнее о товаре
bg-19222

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FB
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
237 W
Время роста (tr)
35 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0085 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
120 nC
Выходная емкость (Cd)
902 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
HY3210P
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
В корзину
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)

54,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
В корзину
Поделиться
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
В корзину
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)

15,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
В корзину
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
В корзину
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)

14,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
В корзину
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

14,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070)
В корзину
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070)

36,00 грн
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти