Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

Термостат KSD-01F 90 градусов нормально открытый (18763)
Регулятор напряжения RU7088R to 220 Mosfet (10344)
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением.
14,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-11127
Описание

IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением. Среди основных характеристик: низкий уровень рассеянной мощности 150W, напряжение пробоя сток-исток 200V, постоянный ток стока 18A. Повышенная прочность конструкции, и надежность способствуют применению полевого транзистора в различных приложениях.

Особенности

  • Высокоскоростное переключение
  • Минимальная рассеиваемая мощность
  • Малый заряд затворa
  • Внутри полевого транзистора размещен защитный диод
  • Корпус TO- 220 AB

Технические характеристики

  • Полярность транзистора - N-Channel
  • Напряжение пробоя сток-исток - 200V
  • Напряжение пробоя затвор-исток - +/- 20V
  • Непрерывный ток стока - 18A
  • Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. - 150mOhm
  • Конфигурация - Single
  • Максимальная рабочая температура - + 175°C
  • Вид монтажа - сквозное отверстие
  • Корпус - TO-220AB
  • Время спада - .5ns
  • Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) - 6.8S
  • Заряд затвора, Qg - 44.7nC
  • Минимальная рабочая температура - — 55°C
  • Рассеяние мощности - 150W
  • Время нарастания - 19ns
  • Типичное время задержки выключения - 23ns
  • RoHS - Совместимое
  • Документация - IRF640N
Подробнее о товаре
bg-11127
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
В корзину
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)

14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
В корзину
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
В корзину
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)

12,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
В корзину
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)

42,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
В корзину
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
В корзину
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)

14,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
В корзину
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

70,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
В корзину
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

21,00 грн
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти