N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением. Среди основных характеристик: низкий уровень рассеянной мощности 150W, напряжение пробоя сток-исток 200V, постоянный ток стока 18A. Повышенная прочность конструкции, и надежность способствуют применению полевого транзистора в различных приложениях.

Особенности

• Высокоскоростное переключение
• Минимальная рассеиваемая мощность
• Малый заряд затворa
• Внутри полевого транзистора размещен защитный диод
• Корпус TO- 220 AB

Технические характеристики

• Полярность транзистора - N-Channel
• Напряжение пробоя сток-исток - 200V
• Напряжение пробоя затвор-исток - +/- 20V
• Непрерывный ток стока - 18A
• Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. - 150mOhm
• Конфигурация - Single
• Максимальная рабочая температура - + 175°C
• Вид монтажа - сквозное отверстие
• Корпус - TO-220AB
• Время спада - .5ns
• Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) - 6.8S
• Заряд затвора, Qg - 44.7nC
• Минимальная рабочая температура - — 55°C
• Рассеяние мощности - 150W
• Время нарастания - 19ns
• Типичное время задержки выключения - 23ns
• RoHS - Совместимое
• Документация - IRF640N