N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением.
14,00 грн
Артикул:
bg-11127
Описание

IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением. Среди основных характеристик: низкий уровень рассеянной мощности 150W, напряжение пробоя сток-исток 200V, постоянный ток стока 18A. Повышенная прочность конструкции, и надежность способствуют применению полевого транзистора в различных приложениях.

Особенности

  • Высокоскоростное переключение
  • Минимальная рассеиваемая мощность
  • Малый заряд затворa
  • Внутри полевого транзистора размещен защитный диод
  • Корпус TO- 220 AB

Технические характеристики

  • Полярность транзистора - N-Channel
  • Напряжение пробоя сток-исток - 200V
  • Напряжение пробоя затвор-исток - +/- 20V
  • Непрерывный ток стока - 18A
  • Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. - 150mOhm
  • Конфигурация - Single
  • Максимальная рабочая температура - + 175°C
  • Вид монтажа - сквозное отверстие
  • Корпус - TO-220AB
  • Время спада - .5ns
  • Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) - 6.8S
  • Заряд затвора, Qg - 44.7nC
  • Минимальная рабочая температура - — 55°C
  • Рассеяние мощности - 150W
  • Время нарастания - 19ns
  • Типичное время задержки выключения - 23ns
  • RoHS - Совместимое
  • Документация - IRF640N
Подробнее о товаре
bg-11127
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
23,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
В корзину
14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры