N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением.
14,00 грн
Артикул:
bg-11127
Описание

IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением. Среди основных характеристик: низкий уровень рассеянной мощности 150W, напряжение пробоя сток-исток 200V, постоянный ток стока 18A. Повышенная прочность конструкции, и надежность способствуют применению полевого транзистора в различных приложениях.

Особенности

  • Высокоскоростное переключение
  • Минимальная рассеиваемая мощность
  • Малый заряд затворa
  • Внутри полевого транзистора размещен защитный диод
  • Корпус TO- 220 AB

Технические характеристики

  • Полярность транзистора - N-Channel
  • Напряжение пробоя сток-исток - 200V
  • Напряжение пробоя затвор-исток - +/- 20V
  • Непрерывный ток стока - 18A
  • Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. - 150mOhm
  • Конфигурация - Single
  • Максимальная рабочая температура - + 175°C
  • Вид монтажа - сквозное отверстие
  • Корпус - TO-220AB
  • Время спада - .5ns
  • Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) - 6.8S
  • Заряд затвора, Qg - 44.7nC
  • Минимальная рабочая температура - — 55°C
  • Рассеяние мощности - 150W
  • Время нарастания - 19ns
  • Типичное время задержки выключения - 23ns
  • RoHS - Совместимое
  • Документация - IRF640N
Подробнее о товаре
bg-11127
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
23,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры