P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)

P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V Сопротивление сток-исток (откр.) Максимальная мощность рассеивания 79W Допустимое напряжение на затворе +-20V Пороговое напряжение на затворе -2..-4V Ток утечки затвора Ток утечки стока (закр.) Время включения/выключения 15/45nS (тип.) Время восстановления диода 130nS (тип.) Входная/выходная ёмкость 760/260pF Корпус TO-220 Диапазон рабочих температур -55..+175oC
18,00 грн
Артикул:
bg-11460
Описание
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C.

Технические характеристики

Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V Сопротивление сток-исток (откр.) < 0,2 om Максимальная мощность рассеивания 79W Допустимое напряжение на затворе +-20V Пороговое напряжение на затворе -2..-4V Ток утечки затвора < 0,1 uA Ток утечки стока (закр.) < 25 uA Время включения/выключения 15/45nS (тип.) Время восстановления диода 130nS (тип.) Входная/выходная ёмкость 760/260pF Корпус TO-220 Диапазон рабочих температур -55..+175oC
Подробнее о товаре
bg-11460
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
93,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
10,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В...
В корзину
50,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
14,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
16,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры