P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)

P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V Сопротивление сток-исток (откр.) Максимальная мощность рассеивания 79W Допустимое напряжение на затворе +-20V Пороговое напряжение на затворе -2..-4V Ток утечки затвора Ток утечки стока (закр.) Время включения/выключения 15/45nS (тип.) Время восстановления диода 130nS (тип.) Входная/выходная ёмкость 760/260pF Корпус TO-220 Диапазон рабочих температур -55..+175oC
18,00 грн
Артикул:
bg-11460
Описание
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C.

Технические характеристики

Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V Сопротивление сток-исток (откр.) < 0,2 om Максимальная мощность рассеивания 79W Допустимое напряжение на затворе +-20V Пороговое напряжение на затворе -2..-4V Ток утечки затвора < 0,1 uA Ток утечки стока (закр.) < 25 uA Время включения/выключения 15/45nS (тип.) Время восстановления диода 130nS (тип.) Входная/выходная ёмкость 760/260pF Корпус TO-220 Диапазон рабочих температур -55..+175oC
Подробнее о товаре
bg-11460
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
59,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
49,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
53,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
В корзину
14,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры