P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)

P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V Сопротивление сток-исток (откр.) Максимальная мощность рассеивания 79W Допустимое напряжение на затворе +-20V Пороговое напряжение на затворе -2..-4V Ток утечки затвора Ток утечки стока (закр.) Время включения/выключения 15/45nS (тип.) Время восстановления диода 130nS (тип.) Входная/выходная ёмкость 760/260pF Корпус TO-220 Диапазон рабочих температур -55..+175oC
20,00 грн
Артикул:
bg-11460
Описание
  • P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C.

    Технические характеристики

  • Максимальный ток стока -14А
  • Максимальное напряжение сток-исток -100V
  • Сопротивление сток-исток (откр.) < 0,2 om
  • Максимальная мощность рассеивания 79W
  • Допустимое напряжение на затворе +-20V
  • Пороговое напряжение на затворе -2..-4V
  • Ток утечки затвора < 0,1 uA
  • Ток утечки стока (закр.) < 25 uA
  • Время включения/выключения 15/45nS (тип.)
  • Время восстановления диода 130nS (тип.)
  • Входная/выходная ёмкость 760/260pF
  • Корпус TO-220
  • Диапазон рабочих температур -55..+175oC
  • Подробнее о товаре
    bg-11460
    Гарантія та повернення
    Отзывы
    Комментариев нет

    Оставьте отзыв

    • Fit:
    • Quality:
    Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
    Загрузка изображений:
    Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
    В этой категории 16 товаров:
    В корзину
    19,00 грн
    Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
    В корзину
    14,00 грн
    Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
    В корзину
    10,00 грн
    Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В...
    В корзину
    9,00 грн
    Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
    В корзину
    8,00 грн
    Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...

    Меню

    Поделиться

    QR-код

    Параметры