Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)

Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 397 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 200 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 195 nCВремя роста (tr): 18 nsВыходная емкость (Cd): 1029 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0035 OhmТип корпуса: TO220
14,00 грн
Артикул:
bg-19221
Описание
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3408A
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 397 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 200 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 195 nC
  • Время роста (tr): 18 ns
  • Выходная емкость (Cd): 1029 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-19221

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
397 W
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
195 nC
Выходная емкость (Cd)
1029 pf
Время роста (tr)
18 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0035 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
HY3408A
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...
В корзину
89,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры