Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)

Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)

Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 397 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 200 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 195 nCВремя роста (tr): 18 nsВыходная емкость (Cd): 1029 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0035 OhmТип корпуса: TO220
15,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19221
Описание
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3408A
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 397 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 200 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 195 nC
  • Время роста (tr): 18 ns
  • Выходная емкость (Cd): 1029 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-19221

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
397 W
Наименование прибора
HY3408A
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
195 nC
Выходная емкость (Cd)
1029 pf
Время роста (tr)
18 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0035 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

15,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
В корзину
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

15,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
В корзину
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

54,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)
В корзину
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)

223,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

15,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
В корзину
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)

19,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW (16756)
В корзину
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW (16756)

30,00 грн
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW.Транзистор 90N04, используется для ремонта и восстановления поврежденных элементов системы зажигания в автомобильных блоках управления DME BMW N13, N20,N55.
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти