Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)

Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 397 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 200 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 195 nCВремя роста (tr): 18 nsВыходная емкость (Cd): 1029 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0035 OhmТип корпуса: TO220
14,00 грн
Артикул:
bg-19221
Описание
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3408A
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 397 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 200 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 195 nC
  • Время роста (tr): 18 ns
  • Выходная емкость (Cd): 1029 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-19221

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
397 W
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
195 nC
Выходная емкость (Cd)
1029 pf
Наименование прибора
HY3408A
Время роста (tr)
18 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0035 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
18,00 грн
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP. Транзисторы выпаяны, с восстановленными ножками.Тип транзистора: N-MOSFETПолярність: польовийНапруга сток-витік: 75ВСтрум стоку: 70АПотужність, що розсіюється:...
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
16,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
12,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
13,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры