Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396)

Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V. Технические характеристики MOSFET силовой транзистор - [TO-220] Тип: N Uси: 600 В Iс(25°C): 9.5 А Rси(вкл): 0.73 Ом Uзатв(ном): 10 В
18,00 грн
Артикул:
bg-11396
Описание
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V.

Технические характеристики

  • MOSFET силовой транзистор - [TO-220]
  • Тип: N
  • Uси: 600 В
  • Iс(25°C): 9.5 А
  • Rси(вкл): 0.73 Ом
  • Uзатв(ном): 10 В
  • Подробнее о товаре
    bg-11396

    Характеристики

    Тип
    N
    Uси
    600 В
    Iс(25°C)
    9.5 А
    Rси(вкл)
    0.73 Ом
    Uзатв(ном)
    10 В
    Гарантія та повернення
    Отзывы
    Комментариев нет

    Оставьте отзыв

    • Fit:
    • Quality:
    Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
    Загрузка изображений:
    Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
    В этой категории 16 товаров:
    В корзину
    30,00 грн
    Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
    В корзину
    44,00 грн
    Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
    В корзину
    101,00 грн
    FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
    В корзину
    20,00 грн
    P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...

    Меню

    Поделиться

    QR-код

    Параметры