Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396)

Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V. Технические характеристики MOSFET силовой транзистор - [TO-220] Тип: N Uси: 600 В Iс(25°C): 9.5 А Rси(вкл): 0.73 Ом Uзатв(ном): 10 В
17,00 грн
Артикул:
bg-11396
Описание
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V.

Технические характеристики

MOSFET силовой транзистор - [TO-220] Тип: N Uси: 600 В Iс(25°C): 9.5 А Rси(вкл): 0.73 Ом Uзатв(ном): 10 В
Подробнее о товаре
bg-11396

Характеристики

Тип
N
Uси
600 В
Iс(25°C)
9.5 А
Rси(вкл)
0.73 Ом
Uзатв(ном)
10 В
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
14,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры