Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)

Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А Заряд затвора 24.7 нКл Термосопротивление 1.9 К/Вт Рассеиваемая мощность 79 Вт
20,00 грн
Артикул:
bg-10241
Описание
Транзистор полевой IRF530N MOSFET.

Технические характеристики

  • Корпус - TO-220AB
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм
  • Ток затвора 17 А
  • Заряд затвора 24.7 нКл
  • Термосопротивление 1.9 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 79 Вт
  • Подробнее о товаре
    bg-10241
    Гарантія та повернення
    Отзывы
    Комментариев нет

    Оставьте отзыв

    • Fit:
    • Quality:
    Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
    Загрузка изображений:
    Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
    В этой категории 16 товаров:
    В корзину
    39,00 грн
    Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно...
    В корзину
    75,00 грн
    Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
    В корзину
    11,00 грн
    Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
    В корзину
    15,00 грн
    IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
    В корзину
    9,00 грн
    Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
    В корзину
    10,00 грн
    Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...

    Меню

    Поделиться

    QR-код

    Параметры