Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.8 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 64(max) nCВремя нарастания (tr): 60(max) nsВыходная емкость (Cd): 240 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 OhmТип корпуса: TO220F
11,00 грн
Артикул:
bg-18071
Описание
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: IRFS640
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.8 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 64(max) nC
  • Время нарастания (tr): 60(max) ns
  • Выходная емкость (Cd): 240 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
  • Тип корпуса: TO220F
Подробнее о товаре
bg-18071

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Полярность
N
Тип корпуса
TO220F
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
40 W
Наименование
IRFS640
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
64(max) nC
Время нарастания (tr)
60(max) ns
Выходная емкость (Cd)
240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.18 Ohm
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
15,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
35,00 грн
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно...
45,00 грн
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая...
В корзину
12,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
18,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
9,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO -...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры