Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.8 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 64(max) nCВремя нарастания (tr): 60(max) nsВыходная емкость (Cd): 240 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 OhmТип корпуса: TO220F
11,00 грн
Артикул:
bg-18071
Описание
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: IRFS640
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.8 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 64(max) nC
  • Время нарастания (tr): 60(max) ns
  • Выходная емкость (Cd): 240 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
  • Тип корпуса: TO220F
Подробнее о товаре
bg-18071

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220F
Наименование
IRFS640
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
40 W
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
64(max) nC
Время нарастания (tr)
60(max) ns
Выходная емкость (Cd)
240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.18 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
14,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
51,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
В корзину
39,00 грн
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
В корзину
48,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530 MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А Заряд...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры