Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)

Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)

Транзистор GT40T101 Toshiba IGBT (14656)
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252.
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18355
Описание
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252.
Подробнее о товаре
bg-18355

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)
В корзину
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
В корзину
Поделиться
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP (17067)
В корзину
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP (17067)

18,00 грн
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP. Транзисторы выпаяны, с восстановленными ножками.Тип транзистора: N-MOSFETПолярність: польовийНапруга сток-витік: 75ВСтрум стоку: 70АПотужність, що розсіюється:...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
В корзину
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
В корзину
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)

9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
В корзину
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

91,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
В корзину
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
Поделиться
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
В корзину
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)

16,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти