Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

Транзистор IKW40N120H3 K40H1203 IGBT N-Ch 1200V 80A TO-247 (14423)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов) Напряжение 'Коллектор-Эмиттер': 1кВ Стиль корпуса: TO-264 Рассеиваемая мощность: 180Вт Ток коллектора: 60А Напряжение насыщения 'Коллектор-Эмиттер' Vce(on): 2.9В
98,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12710
Описание
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов) Напряжение 'Коллектор-Эмиттер': 1кВ Стиль корпуса: TO-264 Рассеиваемая мощность: 180Вт Ток коллектора: 60А Напряжение насыщения 'Коллектор-Эмиттер' Vce(on): 2.9В
Подробнее о товаре
bg-12710

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
В корзину
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)

9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
В корзину
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)

39,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
В корзину
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

14,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)
В корзину
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)

95,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
В корзину
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)

15,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
В корзину
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)

21,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
В корзину
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

792,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти