Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

Транзистор IKW40N120H3 K40H1203 IGBT N-Ch 1200V 80A TO-247 (14423)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов) Напряжение 'Коллектор-Эмиттер': 1кВ Стиль корпуса: TO-264 Рассеиваемая мощность: 180Вт Ток коллектора: 60А Напряжение насыщения 'Коллектор-Эмиттер' Vce(on): 2.9В
93,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12710
Описание
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов) Напряжение 'Коллектор-Эмиттер': 1кВ Стиль корпуса: TO-264 Рассеиваемая мощность: 180Вт Ток коллектора: 60А Напряжение насыщения 'Коллектор-Эмиттер' Vce(on): 2.9В
Подробнее о товаре
bg-12710

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
В корзину
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

756,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)
В корзину
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)

9,00 грн
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: CJE13007Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
В корзину
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

70,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
В корзину
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
В корзину
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

9,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
Поделиться
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
В корзину
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)

18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
В корзину
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)

33,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...
В корзину
Поделиться
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
В корзину
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти