Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

Транзистор IKW40N120H3 K40H1203 IGBT N-Ch 1200V 80A TO-247 (14423)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов) Напряжение 'Коллектор-Эмиттер': 1кВ Стиль корпуса: TO-264 Рассеиваемая мощность: 180Вт Ток коллектора: 60А Напряжение насыщения 'Коллектор-Эмиттер' Vce(on): 2.9В
98,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12710
Описание
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов) Напряжение 'Коллектор-Эмиттер': 1кВ Стиль корпуса: TO-264 Рассеиваемая мощность: 180Вт Ток коллектора: 60А Напряжение насыщения 'Коллектор-Эмиттер' Vce(on): 2.9В
Подробнее о товаре
bg-12710

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
В корзину
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)

17,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
В корзину
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)

29,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
В корзину
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

24,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
Поделиться
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
В корзину
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)

25,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
В корзину
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
Поделиться
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
В корзину
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)

10,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
В корзину
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

53,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
Поделиться
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
В корзину
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)

44,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти