Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Биполярный NPN транзистор E13009 TO220 400V 12A аналог MJE13009 (14800)
Биполярный NPN транзистор E13009 TO220 400V 12A аналог MJE13009 (14800)
Биполярный NPN транзистор E13009 TO220 400V 12A аналог MJE13009 (14800)
Биполярный NPN транзистор E13009 TO220 400V 12A аналог MJE13009 (14800)

Биполярный NPN транзистор E13009 TO220 400V 12A аналог MJE13009 (14800)

Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A TO220 (16653)
Полевой транзистор RU7588R to 220 Mosfet (10345)
Биполярный NPN транзистор E13009 TO220 400V 12A аналог MJE13009.
11,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-14800
Описание
Биполярный NPN транзистор E13009 TO220 400V 12A аналог MJE13009.
Подробнее о товаре
bg-14800

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
В корзину
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)

10,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
В корзину
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

11,00 грн
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: HY1707PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
В корзину
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)

30,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
В корзину
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)

14,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

15,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
В корзину
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)

15,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
В корзину
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)

17,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
Поделиться
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
В корзину
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)

17,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти