Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)

Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)

Симистор BTA41-700BRG 40A 700V 50mA Standard TOP-3 (17068)
Транзистор FQPF6N60C 6N60 MOSFET 600V 5.5A N-Ch TO-220F (18273)
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264.
33,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18298
Описание
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264.
Подробнее о товаре
bg-18298

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
В корзину
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)

18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
Поделиться
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
В корзину
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
Поделиться
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
В корзину
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)

27,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
В корзину
Поделиться
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
В корзину
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)

28,00 грн
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов. Принцип работы термостата (термореле) KSD-01F с суффиксом H, замыкать электрическую цепь при достижении температуры срабатывания на своем корпусе. Обратите...
В корзину
Поделиться
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
В корзину
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)

9,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:...
В корзину
Поделиться
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
В корзину
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)

41,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
В корзину
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

18,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
В корзину

739,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)
В корзину
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
В корзину
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)

13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
В корзину
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

91,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти