Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

Транзистор D2PAK TO-263-3 IRLS4030TRLPBF IRLS4030 MOSFET N-CH 100V 180A (16033)
Транзистор 2SB772 TO-252 PNP 40V 3A (16069)
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 400 Граничная частота коэффициента передачи тока 80 МГц Корпус: TO-126
4,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-16868
Описание
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 400 Граничная частота коэффициента передачи тока 80 МГц Корпус: TO-126
Подробнее о товаре
bg-16868

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
В корзину
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)

9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
Поделиться
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
В корзину
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)

61,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
В корзину
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

9,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)
В корзину
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)

14,00 грн
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
В корзину
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)

20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
В корзину
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
В корзину
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

51,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти