Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.Производитель:InfineonКатегория продукта:МОП-транзисторТехнология SiВид монтажа:SMD/SMTТип корпуса:TO-252-3Коичество каналов: 1 ChannelПолярность транзистора:N-ChannelVds - напряжение пробоя сток-исток:30 VId - непрерывный ток утечки: 161 ARds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhmsVgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 VVgs - напряжение затвор-исток:20 VQg - заряд затвора:34 nCРабочая температур: - 55 C...+ 175 CPd - рассеивание мощности:140 WКанальный режим:EnhancementКрутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 SВремя спада:19 nsВремя нарастания:42 nsТипичное время задержки выключения: 34 nsТипичное время задержки при включении: 25 ns
9,00 грн
Артикул:
bg-16816
Описание
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель:Infineon Категория продукта:МОП-транзистор Технология Si Вид монтажа:SMD/SMT Тип корпуса:TO-252-3 Коичество каналов: 1 Channel Полярность транзистора:N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток:30 V Id - непрерывный ток утечки: 161 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhms Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 V Vgs - напряжение затвор-исток:20 V Qg - заряд затвора:34 nC Рабочая температур: - 55 C...+ 175 C Pd - рассеивание мощности:140 W Канальный режим:Enhancement Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 S Время спада:19 ns Время нарастания:42 ns Типичное время задержки выключения: 34 ns Типичное время задержки при включении: 25 ns
Подробнее о товаре
bg-16816

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
32,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...
В корзину
13,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально...
В корзину
27,00 грн
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт |Vds| – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 В |Vgs| – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 В |Vgs(th)| –...
В корзину
65,00 грн
Наименование прибора: NCEP15T14Тип транзизатора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 WПредельно допустимое напряжение стык-вывода Uds: 150 VПредельно допустимое напряжение затвор-отток Ugs:...
В корзину
11,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
50,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры