Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.Производитель:InfineonКатегория продукта:МОП-транзисторТехнология SiВид монтажа:SMD/SMTТип корпуса:TO-252-3Коичество каналов: 1 ChannelПолярность транзистора:N-ChannelVds - напряжение пробоя сток-исток:30 VId - непрерывный ток утечки: 161 ARds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhmsVgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 VVgs - напряжение затвор-исток:20 VQg - заряд затвора:34 nCРабочая температур: - 55 C...+ 175 CPd - рассеивание мощности:140 WКанальный режим:EnhancementКрутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 SВремя спада:19 nsВремя нарастания:42 nsТипичное время задержки выключения: 34 nsТипичное время задержки при включении: 25 ns
9,00 грн
Артикул:
bg-16816
Описание
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель:Infineon Категория продукта:МОП-транзистор Технология Si Вид монтажа:SMD/SMT Тип корпуса:TO-252-3 Коичество каналов: 1 Channel Полярность транзистора:N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток:30 V Id - непрерывный ток утечки: 161 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhms Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 V Vgs - напряжение затвор-исток:20 V Qg - заряд затвора:34 nC Рабочая температур: - 55 C...+ 175 C Pd - рассеивание мощности:140 W Канальный режим:Enhancement Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 S Время спада:19 ns Время нарастания:42 ns Типичное время задержки выключения: 34 ns Типичное время задержки при включении: 25 ns
Подробнее о товаре
bg-16816

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
61,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
10,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В...
В корзину
23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
18,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры