Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.Производитель:InfineonКатегория продукта:МОП-транзисторТехнология SiВид монтажа:SMD/SMTТип корпуса:TO-252-3Коичество каналов: 1 ChannelПолярность транзистора:N-ChannelVds - напряжение пробоя сток-исток:30 VId - непрерывный ток утечки: 161 ARds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhmsVgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 VVgs - напряжение затвор-исток:20 VQg - заряд затвора:34 nCРабочая температур: - 55 C...+ 175 CPd - рассеивание мощности:140 WКанальный режим:EnhancementКрутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 SВремя спада:19 nsВремя нарастания:42 nsТипичное время задержки выключения: 34 nsТипичное время задержки при включении: 25 ns
8,00 грн
Артикул:
bg-16816
Описание
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель:Infineon Категория продукта:МОП-транзистор Технология Si Вид монтажа:SMD/SMT Тип корпуса:TO-252-3 Коичество каналов: 1 Channel Полярность транзистора:N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток:30 V Id - непрерывный ток утечки: 161 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhms Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 V Vgs - напряжение затвор-исток:20 V Qg - заряд затвора:34 nC Рабочая температур: - 55 C...+ 175 C Pd - рассеивание мощности:140 W Канальный режим:Enhancement Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 S Время спада:19 ns Время нарастания:42 ns Типичное время задержки выключения: 34 ns Типичное время задержки при включении: 25 ns
Подробнее о товаре
bg-16816

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
35,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
14,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
87,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
45,00 грн
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая...
В корзину
12,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
22,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры