Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.Производитель:InfineonКатегория продукта:МОП-транзисторТехнология SiВид монтажа:SMD/SMTТип корпуса:TO-252-3Коичество каналов: 1 ChannelПолярность транзистора:N-ChannelVds - напряжение пробоя сток-исток:30 VId - непрерывный ток утечки: 161 ARds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhmsVgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 VVgs - напряжение затвор-исток:20 VQg - заряд затвора:34 nCРабочая температур: - 55 C...+ 175 CPd - рассеивание мощности:140 WКанальный режим:EnhancementКрутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 SВремя спада:19 nsВремя нарастания:42 nsТипичное время задержки выключения: 34 nsТипичное время задержки при включении: 25 ns
9,00 грн
Артикул:
bg-16816
Описание
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель:Infineon Категория продукта:МОП-транзистор Технология Si Вид монтажа:SMD/SMT Тип корпуса:TO-252-3 Коичество каналов: 1 Channel Полярность транзистора:N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток:30 V Id - непрерывный ток утечки: 161 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhms Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 V Vgs - напряжение затвор-исток:20 V Qg - заряд затвора:34 nC Рабочая температур: - 55 C...+ 175 C Pd - рассеивание мощности:140 W Канальный режим:Enhancement Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 S Время спада:19 ns Время нарастания:42 ns Типичное время задержки выключения: 34 ns Типичное время задержки при включении: 25 ns
Подробнее о товаре
bg-16816

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
14,00 грн
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно...
В корзину
14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...
В корзину
13,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...
В корзину
16,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
12,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры