Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.Производитель:InfineonКатегория продукта:МОП-транзисторТехнология SiВид монтажа:SMD/SMTТип корпуса:TO-252-3Коичество каналов: 1 ChannelПолярность транзистора:N-ChannelVds - напряжение пробоя сток-исток:30 VId - непрерывный ток утечки: 161 ARds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhmsVgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 VVgs - напряжение затвор-исток:20 VQg - заряд затвора:34 nCРабочая температур: - 55 C...+ 175 CPd - рассеивание мощности:140 WКанальный режим:EnhancementКрутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 SВремя спада:19 nsВремя нарастания:42 nsТипичное время задержки выключения: 34 nsТипичное время задержки при включении: 25 ns
9,00 грн
Артикул:
bg-16816
Описание
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель:Infineon Категория продукта:МОП-транзистор Технология Si Вид монтажа:SMD/SMT Тип корпуса:TO-252-3 Коичество каналов: 1 Channel Полярность транзистора:N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток:30 V Id - непрерывный ток утечки: 161 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток:3.2 mOhms Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:2.3 V Vgs - напряжение затвор-исток:20 V Qg - заряд затвора:34 nC Рабочая температур: - 55 C...+ 175 C Pd - рассеивание мощности:140 W Канальный режим:Enhancement Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 37 S Время спада:19 ns Время нарастания:42 ns Типичное время задержки выключения: 34 ns Типичное время задержки при включении: 25 ns
Подробнее о товаре
bg-16816

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
18,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
37,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
93,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
27,00 грн
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
В корзину
206,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
В корзину
14,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
14,00 грн
Транзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры