Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип управляющего канала: NМаксимальная рассеиваемая мощность (PC): 280Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 80Максимальная температура перехода (Tj): 150Время роста: 47.2Емкость коллектора (Cc), pf: 141Тип корпуса: TO3PN
51,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19224
Описание
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики
  • Наименование: CRG40T60AN3H
  • Маркировка: G40T60AN3H
  • Тип управляющего канала: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 280
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
  • Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 80
  • Максимальная температура перехода (Tj): 150
  • Время роста: 47.2
  • Емкость коллектора (Cc), pf: 141
  • Тип корпуса: TO3PN
Подробнее о товаре
bg-19224

Характеристики

Тип корпуса
TO3PN
Маркировка
G40T60AN3H
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
280
Тип управляющего канала
N
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat)
1.9
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)
80
Наименование
CRG40T60AN3H
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg)
20
Максимальная температура перехода (Tj)
150
Емкость коллектора (Cc), pf
141
Время роста
47.2
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
В корзину
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)

9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
В корзину
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
Поделиться
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
В корзину
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)

9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
В корзину
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)

20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
В корзину
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)

9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти