Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип управляющего канала: NМаксимальная рассеиваемая мощность (PC): 280Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 80Максимальная температура перехода (Tj): 150Время роста: 47.2Емкость коллектора (Cc), pf: 141Тип корпуса: TO3PN
55,00 грн
Артикул:
bg-19224
Описание
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики
  • Наименование: CRG40T60AN3H
  • Маркировка: G40T60AN3H
  • Тип управляющего канала: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 280
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
  • Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 80
  • Максимальная температура перехода (Tj): 150
  • Время роста: 47.2
  • Емкость коллектора (Cc), pf: 141
  • Тип корпуса: TO3PN
Подробнее о товаре
bg-19224

Характеристики

Тип корпуса
TO3PN
Наименование
CRG40T60AN3H
Маркировка
G40T60AN3H
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
280
Тип управляющего канала
N
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat)
1.9
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)
80
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg)
20
Максимальная температура перехода (Tj)
150
Емкость коллектора (Cc), pf
141
Время роста
47.2
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
22,00 грн
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
98,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
В корзину
30,00 грн
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
В корзину
11,00 грн
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A. Транзисторы выпаянные с плат, могут иметь короткие ножки, перед отправкой проверяем LCR-тестером.Наименование: IRFB3607Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная...
В корзину
54,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры