Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип управляющего канала: NМаксимальная рассеиваемая мощность (PC): 280Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 80Максимальная температура перехода (Tj): 150Время роста: 47.2Емкость коллектора (Cc), pf: 141Тип корпуса: TO3PN
49,00 грн
Артикул:
bg-19224
Описание
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики
  • Наименование: CRG40T60AN3H
  • Маркировка: G40T60AN3H
  • Тип управляющего канала: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 280
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
  • Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 80
  • Максимальная температура перехода (Tj): 150
  • Время роста: 47.2
  • Емкость коллектора (Cc), pf: 141
  • Тип корпуса: TO3PN
Подробнее о товаре
bg-19224

Характеристики

Тип корпуса
TO3PN
Маркировка
G40T60AN3H
Наименование
CRG40T60AN3H
Тип управляющего канала
N
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat)
1.9
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)
80
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
280
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg)
20
Максимальная температура перехода (Tj)
150
Емкость коллектора (Cc), pf
141
Время роста
47.2
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
197,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
14,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
17,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
31,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры