Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)

Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)

Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Симистор BTA41-700BRG 40A 700V 50mA Standard TOP-3 (17068)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 210 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 120 nC Время роста (tr): 82 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm Тип корпуса: TO220AB
26,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19219
Описание
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики
  • Наименование прибора: IRFB3206
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 60 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 210 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
  • Время роста (tr): 82 ns
  • Выходная емкость (Cd): 720 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB
Подробнее о товаре
bg-19219

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
В корзину
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)

19,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)
В корзину
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)

216,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
В корзину
Поделиться
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
В корзину
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)

15,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
В корзину
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)

9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
В корзину
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)

14,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
В корзину
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)

18,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
В корзину
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

72,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти