Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)

Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 210 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 120 nC Время роста (tr): 82 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm Тип корпуса: TO220AB
25,00 грн
Артикул:
bg-19219
Описание
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики
  • Наименование прибора: IRFB3206
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 60 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 210 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
  • Время роста (tr): 82 ns
  • Выходная емкость (Cd): 720 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB
Подробнее о товаре
bg-19219

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно...
В корзину
20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
36,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
В корзину
41,00 грн
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
В корзину
14,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры