Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах крепится на небольшой радиатор. IRF540N изготовлен на основе кремния (Si).
15,00 грн
Артикул:
bg-11128
Описание
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах крепится на небольшой радиатор. IRF540N изготовлен на основе кремния (Si). Между истоком и стоком имеется встроенный защитный диод. Сопротивление «исток-сток» (в открытом состоянии) 44ohm, рассеиваемая мощность 140W, напряжение пробоя затвор-исток — 20V, заряд затвора — 47.3nC, постоянный ток стока составляет 33A. Изделие имеет низкое тепловое сопротивление. Доступная стоимость транзистора способствуют его широкому распространению в бытовой и промышленной электронике.

Особенности

  • Тип: IRF540N.
  • Ультранизкое сопротивление.
  • Рабочая температура: 175В°C.
  • Быстрое переключение.
  • Малый заряд затвора.
  • Корпус: TO-220AB.

    Технические характеристики

  • Полярность транзистора - N-Channel
  • IRF540N - 100V
  • Напряжение пробоя затвор-исток - 20V
  • Непрерывный ток стока - 33A
  • Корпус - TO-220AB
  • Заряд затвора, Qg - 47.3nC
  • Рассеяние мощности - 140W
  • RoHS - Несовместимо
  • Семейство - IRF540N
  • Тип монтажа - Сквозное отверстие
  • Подробнее о товаре
    bg-11128
    Гарантія та повернення
    Отзывы
    Комментариев нет

    Оставьте отзыв

    • Fit:
    • Quality:
    Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
    Загрузка изображений:
    Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
    В этой категории 16 товаров:
    В корзину
    39,00 грн
    Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
    В корзину
    10,00 грн
    Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...
    В корзину
    16,00 грн
    IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
    В корзину
    9,00 грн
    Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
    В корзину
    55,00 грн
    Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...

    Меню

    Поделиться

    QR-код

    Параметры