Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах крепится на небольшой радиатор. IRF540N изготовлен на основе кремния (Si).
15,00 грн
Артикул:
bg-11128
Описание
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах крепится на небольшой радиатор. IRF540N изготовлен на основе кремния (Si). Между истоком и стоком имеется встроенный защитный диод. Сопротивление «исток-сток» (в открытом состоянии) 44ohm, рассеиваемая мощность 140W, напряжение пробоя затвор-исток — 20V, заряд затвора — 47.3nC, постоянный ток стока составляет 33A. Изделие имеет низкое тепловое сопротивление. Доступная стоимость транзистора способствуют его широкому распространению в бытовой и промышленной электронике.

Особенности

Тип: IRF540N. Ультранизкое сопротивление. Рабочая температура: 175В°C. Быстрое переключение. Малый заряд затвора. Корпус: TO-220AB.

Технические характеристики

Полярность транзистора - N-Channel IRF540N - 100V Напряжение пробоя затвор-исток - 20V Непрерывный ток стока - 33A Корпус - TO-220AB Заряд затвора, Qg - 47.3nC Рассеяние мощности - 140W RoHS - Несовместимо Семейство - IRF540N Тип монтажа - Сквозное отверстие
Подробнее о товаре
bg-11128
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
15,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
792,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
19,00 грн
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP. Транзисторы выпаяны, с восстановленными ножками.Тип транзистора: N-MOSFETПолярність: польовийНапруга сток-витік: 75ВСтрум стоку: 70АПотужність, що розсіюється:...
18,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
43,00 грн
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры