Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах крепится на небольшой радиатор. IRF540N изготовлен на основе кремния (Si).
14,00 грн
Артикул:
bg-11128
Описание
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах крепится на небольшой радиатор. IRF540N изготовлен на основе кремния (Si). Между истоком и стоком имеется встроенный защитный диод. Сопротивление «исток-сток» (в открытом состоянии) 44ohm, рассеиваемая мощность 140W, напряжение пробоя затвор-исток — 20V, заряд затвора — 47.3nC, постоянный ток стока составляет 33A. Изделие имеет низкое тепловое сопротивление. Доступная стоимость транзистора способствуют его широкому распространению в бытовой и промышленной электронике.

Особенности

Тип: IRF540N. Ультранизкое сопротивление. Рабочая температура: 175В°C. Быстрое переключение. Малый заряд затвора. Корпус: TO-220AB.

Технические характеристики

Полярность транзистора - N-Channel IRF540N - 100V Напряжение пробоя затвор-исток - 20V Непрерывный ток стока - 33A Корпус - TO-220AB Заряд затвора, Qg - 47.3nC Рассеяние мощности - 140W RoHS - Несовместимо Семейство - IRF540N Тип монтажа - Сквозное отверстие
Подробнее о товаре
bg-11128
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
52,00 грн
RFP064NPBF, Транзистор, N-канал 55В 98А [TO-247AC]. Транзисторы заводские, хорошего качества новые. Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А:...
В корзину
12,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры