Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах крепится на небольшой радиатор. IRF540N изготовлен на основе кремния (Si).
14,00 грн
Артикул:
bg-11128
Описание
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах крепится на небольшой радиатор. IRF540N изготовлен на основе кремния (Si). Между истоком и стоком имеется встроенный защитный диод. Сопротивление «исток-сток» (в открытом состоянии) 44ohm, рассеиваемая мощность 140W, напряжение пробоя затвор-исток — 20V, заряд затвора — 47.3nC, постоянный ток стока составляет 33A. Изделие имеет низкое тепловое сопротивление. Доступная стоимость транзистора способствуют его широкому распространению в бытовой и промышленной электронике.

Особенности

Тип: IRF540N. Ультранизкое сопротивление. Рабочая температура: 175В°C. Быстрое переключение. Малый заряд затвора. Корпус: TO-220AB.

Технические характеристики

Полярность транзистора - N-Channel IRF540N - 100V Напряжение пробоя затвор-исток - 20V Непрерывный ток стока - 33A Корпус - TO-220AB Заряд затвора, Qg - 47.3nC Рассеяние мощности - 140W RoHS - Несовместимо Семейство - IRF540N Тип монтажа - Сквозное отверстие
Подробнее о товаре
bg-11128
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
18,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
В корзину
201,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
59,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры