Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)

Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)

Транзистор полевой IGW40T60K 40T60 IGBT 600V 40A TO-3P (19291)
Транзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220 (19288)
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247.
50,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19293
Описание
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247.
Подробнее о товаре
bg-19293

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
 
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
В корзину
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)
Транзисторы SS8050 TO 92 10шт (10312)

13,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
В корзину
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

14,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
В корзину
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)

12,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
В корзину
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)

45,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
Поделиться
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
В корзину
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)

15,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
В корзину
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)

7,00 грн
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощность (Pc): 0.07 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
В корзину
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

50,00 грн
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться
1234

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти