Биполярный транзистор PNP BD140 TO-126 (10226)

Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(max): 1,5A Iк.имп(max): 3A Iб.имп(max): 0,5A h21э: 40..250 Iк.обр.: &lt,0,1µA Uк-э.нас.: &lt,0,5V P(max): 1,25W (без радиатора). 12,5W (на радиаторе) tкристалла.(max): +150oC Корпус: TO-126
3,00 грн
Артикул:
bg-10226
Описание
Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(max): 1,5A Iк.имп(max): 3A Iб.имп(max): 0,5A h21э: 40..250 Iк.обр.: &lt,0,1µA Uк-э.нас.: &lt,0,5V P(max): 1,25W (без радиатора). 12,5W (на радиаторе) tкристалла.(max): +150oC Корпус: TO-126
Подробнее о товаре
bg-10226

Характеристики

Тип
BD140 Структура
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
12,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
14,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
36,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
В корзину
13,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры