Биполярный транзистор PNP BD140 TO-126 (10226)

Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(max): 1,5A Iк.имп(max): 3A Iб.имп(max): 0,5A h21э: 40..250 Iк.обр.: &lt,0,1µA Uк-э.нас.: &lt,0,5V P(max): 1,25W (без радиатора). 12,5W (на радиаторе) tкристалла.(max): +150oC Корпус: TO-126
3,00 грн
Артикул:
bg-10226
Описание
Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(max): 1,5A Iк.имп(max): 3A Iб.имп(max): 0,5A h21э: 40..250 Iк.обр.: &lt,0,1µA Uк-э.нас.: &lt,0,5V P(max): 1,25W (без радиатора). 12,5W (на радиаторе) tкристалла.(max): +150oC Корпус: TO-126
Подробнее о товаре
bg-10226

Характеристики

Тип
BD140 Структура
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
27,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
51,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...
В корзину
10,00 грн
Регулятор напряжения RU7088R to 220 Mosfet. Регуляторы выпаяные. Технические характеристики Параметры: 75V / 80A RDS (ON) = 7mΩ (тип) VGS = 10VIDS = 40A Сверхнизкое сопротивлением Быстрое переключение Рабочая...
В корзину
61,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры