Биполярный транзистор PNP BD140 TO-126 (10226)

Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(max): 1,5A Iк.имп(max): 3A Iб.имп(max): 0,5A h21э: 40..250 Iк.обр.: <,0,1µA Uк-э.нас.: <,0,5V P(max): 1,25W (без радиатора). 12,5W (на радиаторе) tкристалла.(max): +150oC Корпус: TO-126
3,00 грн
Артикул:
bg-10226
Описание
Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(max): 1,5A Iк.имп(max): 3A Iб.имп(max): 0,5A h21э: 40..250 Iк.обр.: <,0,1µA Uк-э.нас.: <,0,5V P(max): 1,25W (без радиатора). 12,5W (на радиаторе) tкристалла.(max): +150oC Корпус: TO-126
Подробнее о товаре
bg-10226

Характеристики

Тип
BD140 Структура
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
25,00 грн
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходных каскадов и высококачественных усилителей. Технические характеристики Type - NPN Vceo - 200V Icm...
В корзину
17,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
16,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
В корзину
9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
39,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
В корзину
10,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...
В корзину
19,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
15,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
39,00 грн
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры