Биполярный транзистор PNP BD140 TO-126 (10226)

Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(max): 1,5A Iк.имп(max): 3A Iб.имп(max): 0,5A h21э: 40..250 Iк.обр.: &lt,0,1µA Uк-э.нас.: &lt,0,5V P(max): 1,25W (без радиатора). 12,5W (на радиаторе) tкристалла.(max): +150oC Корпус: TO-126
3,00 грн
Артикул:
bg-10226
Описание
Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(max): 1,5A Iк.имп(max): 3A Iб.имп(max): 0,5A h21э: 40..250 Iк.обр.: &lt,0,1µA Uк-э.нас.: &lt,0,5V P(max): 1,25W (без радиатора). 12,5W (на радиаторе) tкристалла.(max): +150oC Корпус: TO-126
Подробнее о товаре
bg-10226

Характеристики

Тип
BD140 Структура
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
14,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
14,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое...
В корзину
48,00 грн
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая...
В корзину
54,00 грн
RFP064NPBF, Транзистор, N-канал 55В 98А [TO-247AC]. Транзисторы заводские, хорошего качества новые. Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А:...
В корзину
21,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
216,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры