Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

Транзистор IGBT H30R1203 1200V 30A TO-247 (18264)
Транзистор IGBT H25R1203 1200V 25A TO-247 (18265)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В Сопротивление в открытом состоянии:12мОм Монтаж:THT Заряд затвора:86,6нC Вид упаковки:туба Вид канала:обогащенныйТранзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB. Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В Сопротивление в открытом состоянии:12мОм Монтаж:THT Заряд затвора:86,6нC Вид упаковки:туба Вид канала:обогащенный
23,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-17066
Описание
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.
Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В Сопротивление в открытом состоянии:12мОм Монтаж:THT Заряд затвора:86,6нC Вид упаковки:туба Вид канала:обогащенныйТранзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB. Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В Сопротивление в открытом состоянии:12мОм Монтаж:THT Заряд затвора:86,6нC Вид упаковки:туба Вид канала:обогащенный
Подробнее о товаре
bg-17066

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
В корзину
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

11,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
В корзину

45,00 грн
Замена XNS15N120T, IGW15T120F, BT15T120, G15N120D, H15R1202, IHW15N120R2, 15N120HKDТранзистор индукционной плиты FGA15N120 с изолированным затвором IGBTТранзистор FGA15N120 подходит для замены XNS15N120T, IGW15T120F,...
В корзину
Поделиться
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
В корзину
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)

9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
В корзину
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)

45,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
В корзину
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)

9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
В корзину
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

91,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
Поделиться
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
В корзину
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)

18,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти