Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В Сопротивление в открытом состоянии:12мОм Монтаж:THT Заряд затвора:86,6нC Вид упаковки:туба Вид канала:обогащенныйТранзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB. Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В Сопротивление в открытом состоянии:12мОм Монтаж:THT Заряд затвора:86,6нC Вид упаковки:туба Вид канала:обогащенный
24,00 грн
Артикул:
bg-17066
Описание
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.
Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В Сопротивление в открытом состоянии:12мОм Монтаж:THT Заряд затвора:86,6нC Вид упаковки:туба Вид канала:обогащенныйТранзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB. Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В Сопротивление в открытом состоянии:12мОм Монтаж:THT Заряд затвора:86,6нC Вид упаковки:туба Вид канала:обогащенный
Подробнее о товаре
bg-17066

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
38,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
В корзину
10,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
В корзину
4,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
39,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры