Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)

Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)

Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 44 nCВыходная емкость (Cd): 1200 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 OhmТип корпуса: TO220
18,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18074
Описание
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: IRF9640
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: P
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 44 nC
  • Выходная емкость (Cd): 1200 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-18074

Характеристики

Полярность
P
Тип корпуса
TO220
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
125 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.5 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
44 nC
Выходная емкость (Cd)
1200 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Наименование прибора
IRF9640
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
В корзину
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)

9,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
В корзину
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

18,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
В корзину
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

68,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти