Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)

Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)

Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 40.5 nCСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm
14,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18075
Описание
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: FQP19N20C
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 40.5 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm
Подробнее о товаре
bg-18075

Характеристики

Полярность
N
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
139 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.17 Ohm
Наименование
FQP19N20C
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
40.5 nC
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
В корзину
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)

20,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
В корзину
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

19,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
В корзину
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)

20,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
Поделиться
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
В корзину
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)

44,00 грн
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
В корзину
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)

40,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
В корзину
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
В корзину
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

15,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
В корзину
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

11,00 грн
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: HY1707PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
В корзину
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

12,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти