Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)

Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 40.5 nCСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm
13,00 грн
Артикул:
bg-18075
Описание
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: FQP19N20C
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 40.5 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm
Подробнее о товаре
bg-18075

Характеристики

Полярность
N
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
139 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.17 Ohm
Наименование
FQP19N20C
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
40.5 nC
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
13,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...
В корзину
50,00 грн
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип...
45,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
41,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...
В корзину
9,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:...
32,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры