Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)

Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По быстродействию транзисторы IGBT RJH60F5 80A 600V значительно превосходят биполярные транзисторы. IGBT-транзисторы с обратным диодом успешно заменяют тиристоры в высоковольтных схемах преобразования частоты.
39,00 грн
Артикул:
bg-12822
Описание
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По быстродействию транзисторы IGBT RJH60F5 80A 600V значительно превосходят биполярные транзисторы. IGBT-транзисторы с обратным диодом успешно заменяют тиристоры в высоковольтных схемах преобразования частоты. Транзисторы RJH60F5 80A 600V применяют при проектировании импульсных источников вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. Транзисторы заводские, но выпаянные, контакты могут быть разной длины. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. Длина ножки - 1см. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие. Перед отправкой транзисторы проверяем LCR-тестером. Ток транзистора: 80 A Напряжение: 600 V Транзистор с встроенным обратным диодом Корпус: TO-247
Подробнее о товаре
bg-12822

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
8,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
19,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
13,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры