Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения: Medium Power, General Purpose Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 6 Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110 Корпус транзистора: TO92
11,00 грн
Артикул:
bg-10486
Описание
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения: Medium Power, General Purpose Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 6 Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110 Корпус транзистора: TO92
Подробнее о товаре
bg-10486

Характеристики

Тип материала
Si Полярность
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
10,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В...
В корзину
19,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
14,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
В корзину
14,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое...
В корзину
7,00 грн
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощность (Pc): 0.07 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 Макcимально допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры