Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396)
Транзистор WS TL431 TO-92 10шт (10516)
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения: Medium Power, General Purpose Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 6 Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110 Корпус транзистора: TO92
11,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-10486
Описание
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения: Medium Power, General Purpose Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 6 Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110 Корпус транзистора: TO92
Подробнее о товаре
bg-10486

Характеристики

Тип материала
Si Полярность
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
В корзину
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

29,00 грн
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
В корзину
Поделиться
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
В корзину
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

792,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
В корзину
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)
Транзистор NPN NEC D882 40V 3A SOT-89 (12519)

3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
В корзину
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

24,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)
В корзину
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)

95,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти