Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)

Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)

Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор NPN S8050 К-92. Технические характеристики Структура: npn Макс. напр.
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-10119
Описание

Транзистор NPN S8050 К-92.

Технические характеристики

  • Структура: npn
  • Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
  • Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25
  • Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
  • Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 85…300
  • Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
  • Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1 Корпус: to92
Подробнее о товаре
bg-10119

Характеристики

Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
85…300
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
1 Корпус
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
В корзину
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

51,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
Поделиться
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)
В корзину
Транзистор S8550 5шт (10135)
Транзистор S8550 5шт (10135)

9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
В корзину
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

14,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
В корзину
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)

54,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
В корзину
Поделиться
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
В корзину
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

21,00 грн
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
В корзину
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)

37,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
В корзину
Поделиться
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
В корзину
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)

10,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти