Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C = 80 АIc 100°C = 40 АPd=500 ВтR°C/W = 0.25°C/Вт.
50,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19227
Описание
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Корпус TO-3P
  • IGBT транзистор
  • Vces = 1200 В
  • Vges = ±20 В
  • Ic 25°C = 80 А
  • Ic 100°C = 40 А
  • Pd=500 Вт
  • R°C/W = 0.25°C/Вт.
Подробнее о товаре
bg-19227

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
В корзину
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)

36,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
В корзину
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)

9,00 грн
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстрая скорость переключения Коллектор - Base Voltage - VCBO - 60 В Коллектор - эмиттер - VCEO - 50 В...
В корзину
Поделиться
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
В корзину
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)

14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...
В корзину
Поделиться
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
В корзину
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)

45,00 грн
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая...
В корзину
Поделиться
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
В корзину
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)

50,00 грн
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти