Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C = 80 АIc 100°C = 40 АPd=500 ВтR°C/W = 0.25°C/Вт.
51,00 грн
Артикул:
bg-19227
Описание
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Корпус TO-3P
  • IGBT транзистор
  • Vces = 1200 В
  • Vges = ±20 В
  • Ic 25°C = 80 А
  • Ic 100°C = 40 А
  • Pd=500 Вт
  • R°C/W = 0.25°C/Вт.
Подробнее о товаре
bg-19227

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
14,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
16,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
206,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
В корзину
50,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
19,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры