Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)

Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)

Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус транзистора: TO126
13,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12515
Описание
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус транзистора: TO126
Подробнее о товаре
bg-12515

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
В корзину
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)

24,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
В корзину
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A (11496)

10,00 грн
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A. Транзисторы выпаянные с плат, могут иметь короткие ножки, перед отправкой проверяем LCR-тестером.Наименование: IRFB3607Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная...
В корзину
Поделиться
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
В корзину
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)

36,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
В корзину
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

13,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
В корзину
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)

9,00 грн
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
В корзину
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)

18,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
В корзину
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти