Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)

Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126 (12516)

Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус транзистора: TO126
13,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-12516
Описание

Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126.

Технические характеристики

Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус транзистора: TO126
Подробнее о товаре
bg-12516

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW (16756)
В корзину
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW (16756)

27,00 грн
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW.Транзистор 90N04, используется для ремонта и восстановления поврежденных элементов системы зажигания в автомобильных блоках управления DME BMW N13, N20,N55.
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
В корзину
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)

18,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
В корзину
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

4,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
Поделиться
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
В корзину
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти