Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор триод C2075 2SC2075 TO-220 NPN 80V 4A 10W (18873)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 39 nCВремя роста (tr): 20 nsВыходная емкость (Cd): 350 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 OhmТип корпуса: TO247
27,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19218
Описание
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: STW20NM60
  • Маркировка: W20NM60
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
  • Время роста (tr): 20 ns
  • Выходная емкость (Cd): 350 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
  • Тип корпуса: TO247
Подробнее о товаре
bg-19218

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO247
Маркировка
W20NM60
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
192 W
Время роста (tr)
20 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.29 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
39 nC
Выходная емкость (Cd)
350 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
STW20NM60
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
В корзину
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)

14,00 грн
Транзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
В корзину
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)

18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)
В корзину
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал (18074)

18,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
В корзину
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт (17963)

14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
В корзину
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

50,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти