Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 39 nCВремя роста (tr): 20 nsВыходная емкость (Cd): 350 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 OhmТип корпуса: TO247
27,00 грн
Артикул:
bg-19218
Описание
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: STW20NM60
  • Маркировка: W20NM60
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
  • Время роста (tr): 20 ns
  • Выходная емкость (Cd): 350 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
  • Тип корпуса: TO247
Подробнее о товаре
bg-19218

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO247
Маркировка
W20NM60
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
192 W
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
39 nC
Выходная емкость (Cd)
350 pf
Время роста (tr)
20 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.29 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
STW20NM60
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
13,00 грн
Транзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
17,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
В корзину
17,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...
В корзину
48,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
22,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
8,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое...
В корзину
13,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры