Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 39 nCВремя роста (tr): 20 nsВыходная емкость (Cd): 350 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 OhmТип корпуса: TO247
27,00 грн
Артикул:
bg-19218
Описание
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: STW20NM60
  • Маркировка: W20NM60
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
  • Время роста (tr): 20 ns
  • Выходная емкость (Cd): 350 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
  • Тип корпуса: TO247
Подробнее о товаре
bg-19218

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO247
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
192 W
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
39 nC
Выходная емкость (Cd)
350 pf
Маркировка
W20NM60
Наименование прибора
STW20NM60
Время роста (tr)
20 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.29 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
41,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...
59,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно...
NEW
В корзину
162,00 грн
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220Параметры:Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контактомКрайне высокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора,...
В корзину
13,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...
В корзину
6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
53,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
В корзину
11,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры