Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 39 nCВремя роста (tr): 20 nsВыходная емкость (Cd): 350 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 OhmТип корпуса: TO247
27,00 грн
Артикул:
bg-19218
Описание
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: STW20NM60
  • Маркировка: W20NM60
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
  • Время роста (tr): 20 ns
  • Выходная емкость (Cd): 350 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
  • Тип корпуса: TO247
Подробнее о товаре
bg-19218

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO247
Маркировка
W20NM60
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
192 W
Время роста (tr)
20 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.29 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
39 nC
Выходная емкость (Cd)
350 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
STW20NM60
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
93,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
13,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры