Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V|пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 39 nCВремя роста (tr): 20 nsВыходная емкость (Cd): 350 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 OhmТип корпуса: TO247
27,00 грн
Артикул:
bg-19218
Описание
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: STW20NM60
  • Маркировка: W20NM60
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
  • |пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 20 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
  • Время роста (tr): 20 ns
  • Выходная емкость (Cd): 350 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
  • Тип корпуса: TO247
Подробнее о товаре
bg-19218

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Маркировка
W20NM60
Полярность
N
Тип корпуса
TO247
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
192 W
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
39 nC
Выходная емкость (Cd)
350 pf
Время роста (tr)
20 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.29 Ohm
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
STW20NM60
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
48,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
15,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
22,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры