Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A (11539)

Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A. Технические характеристики Модель: ME15N10-G Напряжение: 100V Ток: 14.7A Корпус: TO252
9,00 грн
Артикул:
bg-11539
Описание

Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A.

Технические характеристики

  • Модель: ME15N10-G
  • Напряжение: 100V
  • Ток: 14.7A
  • Корпус: TO252
Подробнее о товаре
bg-11539

Характеристики

Модель
ME15N10-G
Напряжение
100V
Ток
14.7A
Корпус
TO252
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
36,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
В корзину
49,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры