Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A (11539)

Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A. Технические характеристики Модель: ME15N10-G Напряжение: 100V Ток: 14.7A Корпус: TO252
9,00 грн
Артикул:
bg-11539
Описание

Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A.

Технические характеристики

  • Модель: ME15N10-G
  • Напряжение: 100V
  • Ток: 14.7A
  • Корпус: TO252
Подробнее о товаре
bg-11539

Характеристики

Модель
ME15N10-G
Напряжение
100V
Ток
14.7A
Корпус
TO252
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
36,00 грн
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно...
В корзину
16,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры