Полевой транзистор RU7588R to 220 Mosfet (10345)

Полевой транзистор RU7588R to 220 Mosfet. Регуляторы выпаяные. Технические характеристики Параметры: 75V / 80A RDS (ON) = 7mΩ (тип) VGS = 10VIDS = 40A Сверхнизкое сопротивлением Быстрое переключение Рабочая температура: 175 ° C
10,00 грн
Артикул:
bg-10345
Описание

Полевой транзистор RU7588R to 220 Mosfet. Регуляторы выпаяные.

Технические характеристики

  • Параметры: 75V / 80A
  • RDS (ON) = 7mΩ (тип)
  • VGS = 10VIDS = 40A
  • Сверхнизкое сопротивлением
  • Быстрое переключение
  • Рабочая температура: 175 ° C
Подробнее о товаре
bg-10345

Характеристики

Рабочая температура
175 ° C
Параметры
75V / 80A
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
23,00 грн
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходных каскадов и высококачественных усилителей. Технические характеристики Type - NPN Vceo - 200V...
24,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
16,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
201,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
В корзину
14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры