Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)

Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60Тип корпуса: TO247
89,00 грн
Артикул:
bg-18076
Описание
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: FGH60N60SMD
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60
  • Тип корпуса: TO247
Подробнее о товаре
bg-18076

Характеристики

Тип корпуса
TO247
Наименование
FGH60N60SMD
Тип управляющего канала
N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat)
1.9
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)
60
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
В корзину
36,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
27,00 грн
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW.Транзистор 90N04, используется для ремонта и восстановления поврежденных элементов системы зажигания в автомобильных блоках управления DME BMW N13, N20,N55.

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры