Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)

Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный ток сток-виток при 25°C: 110АМаксимальное напряжение затвор-утечка: ±20ВСопротивление каналу в открытом состоянии: 8мОмМаксимальная рассеивающая мощность: 200ВтКрутизна характеристик: 44SПороговое напряжение на затвор: 2...4
33,00 грн
Артикул:
bg-19200
Описание

Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.

Технические характеристики

  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение сток-виток: 55В
  • Максимальный ток сток-виток при 25°C: 110А
  • Максимальное напряжение затвор-утечка: ±20В
  • Сопротивление каналу в открытом состоянии: 8мОм
  • Максимальная рассеивающая мощность: 200Вт
  • Крутизна характеристик: 44S
  • Пороговое напряжение на затвор: 2...4
Подробнее о товаре
bg-19200

Характеристики

Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-виток
55В
Максимальный ток сток-виток при 25°C
110А
Максимальное напряжение затвор-утечка
±20В
Сопротивление каналу в открытом состоянии
8мОм
Максимальная рассеивающая мощность
200Вт
Крутизна характеристик
44S
Пороговое напряжение на затвор
2...4
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
14,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
4,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
756,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
36,00 грн
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно...
В корзину
42,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...
В корзину
70,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры