Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)

Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)

Транзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB (17813)
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный ток сток-виток при 25°C: 110АМаксимальное напряжение затвор-утечка: ±20ВСопротивление каналу в открытом состоянии: 8мОмМаксимальная рассеивающая мощность: 200ВтКрутизна характеристик: 44SПороговое напряжение на затвор: 2...4
35,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19200
Описание

Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.

Технические характеристики

  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение сток-виток: 55В
  • Максимальный ток сток-виток при 25°C: 110А
  • Максимальное напряжение затвор-утечка: ±20В
  • Сопротивление каналу в открытом состоянии: 8мОм
  • Максимальная рассеивающая мощность: 200Вт
  • Крутизна характеристик: 44S
  • Пороговое напряжение на затвор: 2...4
Подробнее о товаре
bg-19200

Характеристики

Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-виток
55В
Максимальный ток сток-виток при 25°C
110А
Максимальное напряжение затвор-утечка
±20В
Сопротивление каналу в открытом состоянии
8мОм
Максимальная рассеивающая мощность
200Вт
Крутизна характеристик
44S
Пороговое напряжение на затвор
2...4
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
В корзину
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)

29,00 грн
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

15,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
В корзину
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

11,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
В корзину
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

14,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
В корзину
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

9,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
В корзину
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
В корзину
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)

26,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти