Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)

Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)

Транзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB (17813)
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный ток сток-виток при 25°C: 110АМаксимальное напряжение затвор-утечка: ±20ВСопротивление каналу в открытом состоянии: 8мОмМаксимальная рассеивающая мощность: 200ВтКрутизна характеристик: 44SПороговое напряжение на затвор: 2...4
33,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19200
Описание

Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.

Технические характеристики

  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение сток-виток: 55В
  • Максимальный ток сток-виток при 25°C: 110А
  • Максимальное напряжение затвор-утечка: ±20В
  • Сопротивление каналу в открытом состоянии: 8мОм
  • Максимальная рассеивающая мощность: 200Вт
  • Крутизна характеристик: 44S
  • Пороговое напряжение на затвор: 2...4
Подробнее о товаре
bg-19200

Характеристики

Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-виток
55В
Максимальный ток сток-виток при 25°C
110А
Максимальное напряжение затвор-утечка
±20В
Сопротивление каналу в открытом состоянии
8мОм
Максимальная рассеивающая мощность
200Вт
Крутизна характеристик
44S
Пороговое напряжение на затвор
2...4
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
В корзину
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

756,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
В корзину
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)

36,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
В корзину
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)

18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
В корзину
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

14,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
Поделиться
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
В корзину
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

70,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
Поделиться
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
В корзину
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)

42,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...
В корзину
Поделиться
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
В корзину
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)

14,00 грн
Транзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти