Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)

Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный ток сток-виток при 25°C: 110АМаксимальное напряжение затвор-утечка: ±20ВСопротивление каналу в открытом состоянии: 8мОмМаксимальная рассеивающая мощность: 200ВтКрутизна характеристик: 44SПороговое напряжение на затвор: 2...4
32,00 грн
Артикул:
bg-19200
Описание

Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.

Технические характеристики

  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение сток-виток: 55В
  • Максимальный ток сток-виток при 25°C: 110А
  • Максимальное напряжение затвор-утечка: ±20В
  • Сопротивление каналу в открытом состоянии: 8мОм
  • Максимальная рассеивающая мощность: 200Вт
  • Крутизна характеристик: 44S
  • Пороговое напряжение на затвор: 2...4
Подробнее о товаре
bg-19200

Характеристики

Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-виток
55В
Максимальный ток сток-виток при 25°C
110А
Максимальное напряжение затвор-утечка
±20В
Сопротивление каналу в открытом состоянии
8мОм
Максимальная рассеивающая мощность
200Вт
Крутизна характеристик
44S
Пороговое напряжение на затвор
2...4
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
45,00 грн
Замена XNS15N120T, IGW15T120F, BT15T120, G15N120D, H15R1202, IHW15N120R2, 15N120HKDТранзистор индукционной плиты FGA15N120 с изолированным затвором IGBTТранзистор FGA15N120 подходит для замены XNS15N120T, IGW15T120F,...
9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
40,00 грн
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
В корзину
9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
В корзину
6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение...
45,00 грн
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая...
В корзину
739,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры