Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC =100°C)Импульсный ток коллектора ICM (1): 120АМаксимальная рассеивтельная мощность PD: 200W (TC = 25°C), 120W (TC = 100°C)Рабочая температура перехода TJ: -55 ~ 150°CМаксимальная температура пайки (1/8 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) TL: 300°C
75,00 грн
Артикул:
bg-18069
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.
Технические характеристики
- Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 900V
- Напряжение затвор-эмиттер VGE: +-25V
- Постоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC =100°C)
- Импульсный ток коллектора ICM (1): 120А
- Максимальная рассеивтельная мощность PD: 200W (TC = 25°C), 120W (TC = 100°C)
- Рабочая температура перехода TJ: -55 ~ 150°C
- Максимальная температура пайки (1/8 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) TL: 300°C
bg-18069
Характеристики
- Напряжение коллектор-эмиттер VCES
- 900V
- Напряжение затвор-эмиттер VGE
- +-25V
- Корзина
- 0 Корзина
- Обновление склада
- 01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Оставьте отзыв