Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

Транзистор FQPF7N65C 7N65C N-канал 650V 7A TO-220F (18277)
Транзистор FQP5N60C MOS N-ch 600V 4.5A 15ns TO220 (18286)
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC =100°C)Импульсный ток коллектора ICM (1): 120АМаксимальная рассеивтельная мощность PD: 200W (TC = 25°C), 120W (TC = 100°C)Рабочая температура перехода TJ: -55 ~ 150°CМаксимальная температура пайки (1/8 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) TL: 300°C
70,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18069
Описание

Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.

Технические характеристики

  • Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 900V
  • Напряжение затвор-эмиттер VGE: +-25V
  • Постоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC =100°C)
  • Импульсный ток коллектора ICM (1): 120А
  • Максимальная рассеивтельная мощность PD: 200W (TC = 25°C), 120W (TC = 100°C)
  • Рабочая температура перехода TJ: -55 ~ 150°C
  • Максимальная температура пайки (1/8 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) TL: 300°C
Подробнее о товаре
bg-18069

Характеристики

Напряжение коллектор-эмиттер VCES
900V
Напряжение затвор-эмиттер VGE
+-25V
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
В корзину
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

756,00 грн
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
В корзину
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)

25,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
В корзину
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
Поделиться
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP (17067)
В корзину
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP (17067)

18,00 грн
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP. Транзисторы выпаяны, с восстановленными ножками.Тип транзистора: N-MOSFETПолярність: польовийНапруга сток-витік: 75ВСтрум стоку: 70АПотужність, що розсіюється:...
В корзину
Поделиться
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
В корзину
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)

7,00 грн
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощность (Pc): 0.07 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
В корзину
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов (16806)

29,00 грн
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов. Принцип работы термостата (термореле) KSD-01F с суффиксом H, замыкать электрическую цепь при достижении температуры срабатывания на своем корпусе. Обратите...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти