Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)

Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC =100°C)Импульсный ток коллектора ICM (1): 120АМаксимальная рассеивтельная мощность PD: 200W (TC = 25°C), 120W (TC = 100°C)Рабочая температура перехода TJ: -55 ~ 150°CМаксимальная температура пайки (1/8 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) TL: 300°C
68,00 грн
Артикул:
bg-18069
Описание

Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.

Технические характеристики

  • Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 900V
  • Напряжение затвор-эмиттер VGE: +-25V
  • Постоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC =100°C)
  • Импульсный ток коллектора ICM (1): 120А
  • Максимальная рассеивтельная мощность PD: 200W (TC = 25°C), 120W (TC = 100°C)
  • Рабочая температура перехода TJ: -55 ~ 150°C
  • Максимальная температура пайки (1/8 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) TL: 300°C
Подробнее о товаре
bg-18069

Характеристики

Напряжение коллектор-эмиттер VCES
900V
Напряжение затвор-эмиттер VGE
+-25V
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
28,00 грн
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов. Принцип работы термостата (термореле) KSD-01F с суффиксом H, замыкать электрическую цепь при достижении температуры срабатывания на своем корпусе. Обратите...
В корзину
16,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
7,00 грн
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощность (Pc): 0.07 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 Макcимально допустимое...
В корзину
14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры