Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)Ваша корзина пуста.
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC =100°C)Импульсный ток коллектора ICM (1): 120АМаксимальная рассеивтельная мощность PD: 200W (TC = 25°C), 120W (TC = 100°C)Рабочая температура перехода TJ: -55 ~ 150°CМаксимальная температура пайки (1/8 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) TL: 300°C
68,00 грн
Артикул:
bg-18069
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.
Технические характеристики
- Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 900V
- Напряжение затвор-эмиттер VGE: +-25V
- Постоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC =100°C)
- Импульсный ток коллектора ICM (1): 120А
- Максимальная рассеивтельная мощность PD: 200W (TC = 25°C), 120W (TC = 100°C)
- Рабочая температура перехода TJ: -55 ~ 150°C
- Максимальная температура пайки (1/8 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) TL: 300°C
bg-18069
Характеристики
- Напряжение коллектор-эмиттер VCES
- 900V
- Напряжение затвор-эмиттер VGE
- +-25V
- Корзина
- 0 Корзина
- Обновление склада
- 01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
В этой категории 16 товаров:



23,00 грн
Транзистор IRFB4110 MOSFET N-ch 100V 180A TO220AB.



39,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.

65,00 грн
Наименование прибора: NCEP15T14Тип транзизатора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 WПредельно допустимое напряжение стык-вывода Uds: 150 VПредельно допустимое напряжение затвор-отток Ugs:...






9,00 грн
Транзистор NPN S8050 К-92. Технические характеристики Структура: npn Макс. напр.












9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...









12,00 грн
Транзистор NCE01P30K MOS P-ch 30A 100V SMD TO252.

65,00 грн
Название прибора: NCEP15T14DТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность: 340 ВтПредельно допустимое напряжение сток-сток: 150 ВПредельно допустимое напряжение затвор-сток: 20 ВМаксимально...



11,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...






18,00 грн
Транзистор NCE30H10 N-ch 30V 98A TO220AB.



3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...






13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...



94,00 грн
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 47А, 415Вт, TO247. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.






21,00 грн
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252.



48,00 грн
Транзистор биполярный 2SC3320 Japan NPN 15A 400V SC-65.









59,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
Оставьте отзыв