Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новыйДанный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.Технические характеристикиНазвание прибора: BLF6G10S-45КТип транзистора: LDMOSПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 28 VМаксимально допустимый постоянный ток стока | Id |: 13 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 OhmТип корпуса: SOT608Bч
821,00 грн
Артикул:
bg-20114
Описание

Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый

Данный вид транзистора используется в качестве выходного каскада в системах РЭБ.


Технические характеристики

  • Название прибора: BLF6G10S-45К
  • Тип транзистора: LDMOS
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 28 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока | Id |: 13 A
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
  • Тип корпуса: SOT608Bч
Подробнее о товаре
bg-20114

Характеристики

Название прибора
BLF6G10S-45К
Полярность
N
Тип корпуса
SOT608Bч
Тип транзистора
LDMOS
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
45 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.2 Ohm
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
11,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
15,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
12,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
19,00 грн
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP. Транзисторы выпаяны, с восстановленными ножками.Тип транзистора: N-MOSFETПолярність: польовийНапруга сток-витік: 75ВСтрум стоку: 70АПотужність, що розсіюється:...
В корзину
13,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
11,00 грн
Транзистор IRFB3607 аналог NCE8580 75V 80A. Транзисторы выпаянные с плат, могут иметь короткие ножки, перед отправкой проверяем LCR-тестером.Наименование: IRFB3607Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная...
В корзину
54,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
45,00 грн
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип транзистора IGBT Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры