Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)

Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)

Транзистор IRLR8726 LR8726 86A 30V MOS TO252 (17685)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 110Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 ом при 62a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200Крутизна характеристики, S: 44Корпус: to220abПороговое напряжение на затворе: 2…4
18,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-11678
Описание

IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.

Технические параметры

Структура: n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 110

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 ом при 62a, 10в

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200

Крутизна характеристики, S: 44

Корпус: to220ab

Пороговое напряжение на затворе: 2…4

Подробнее о товаре
bg-11678

Характеристики

, S
44Корпус
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)
В корзину
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 (12820)

201,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
В корзину
Поделиться
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
В корзину
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)

7,00 грн
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощность (Pc): 0.07 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
В корзину
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

14,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
Поделиться
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
В корзину
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)

36,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
В корзину
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
В корзину
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти