Транзистор S8550 5шт (10135)

Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120 Корпус транзистора: SOT23
9,00 грн
Артикул:
bg-10135
Описание

Транзисторы S8550.

Технические характеристики

  • Наименование производителя: S8550
  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
  • Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
  • Корпус транзистора: SOT23
Подробнее о товаре
bg-10135

Характеристики

Полярность
PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
0.3
Тип материала
Si
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)
40
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
25
Предельная температура PN-перехода (Tj), град
150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft)
150
Статический коэффициент передачи тока (hfe)
120
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)
0.5
Корпус транзистора
SOT23
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)
5
Наименование производителя
S8550
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
162,00 грн
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220Параметры:Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контактомКрайне высокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора,...
В корзину
20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
49,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
18,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры