Транзистор S8550 5шт (10135)

Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120 Корпус транзистора: SOT23
9,00 грн
Артикул:
bg-10135
Описание

Транзисторы S8550.

Технические характеристики

  • Наименование производителя: S8550
  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
  • Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
  • Корпус транзистора: SOT23
Подробнее о товаре
bg-10135

Характеристики

Полярность
PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
0.3
Тип материала
Si
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)
40
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
25
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)
0.5
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft)
150
Статический коэффициент передачи тока (hfe)
120
Корпус транзистора
SOT23
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)
5
Предельная температура PN-перехода (Tj), град
150
Наименование производителя
S8550
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
14,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое...
В корзину
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
18,00 грн
Транзистор полевой IRF9640 P-ch MOSFET 200V 11A TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: IRF9640Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры