Транзистор S8550 5шт (10135)

Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120 Корпус транзистора: SOT23
9,00 грн
Артикул:
bg-10135
Описание

Транзисторы S8550.

Технические характеристики

  • Наименование производителя: S8550
  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
  • Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
  • Корпус транзистора: SOT23
Подробнее о товаре
bg-10135

Характеристики

Полярность
PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)
0.3
Тип материала
Si
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)
40
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)
25
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)
0.5
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft)
150
Статический коэффициент передачи тока (hfe)
120
Корпус транзистора
SOT23
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)
5
Предельная температура PN-перехода (Tj), град
150
Наименование производителя
S8550
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
68,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...
В корзину
23,00 грн
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходных каскадов и высококачественных усилителей. Технические характеристики Type - NPN Vceo - 200V Icm...
В корзину
12,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры