Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)

Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 65 nCВремя нарастания (tr): 60 nsВыходная емкость (Cd): 500 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 OhmТип корпуса: TO3P
23,00 грн
Артикул:
bg-19213
Описание
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: 2SK2370
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
  • Время нарастания (tr): 60 ns
  • Выходная емкость (Cd): 500 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
  • Тип корпуса: TO3P
Подробнее о товаре
bg-19213

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO3P
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
140 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.4 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
65 nC
Время нарастания (tr)
60 ns
Выходная емкость (Cd)
500 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
2SK2370
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
14,00 грн
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование прибора: HY3408AТип транзистора: MOSFETПолярность:...
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
18,00 грн
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение...
В корзину
162,00 грн
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220Параметры:Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контактомКрайне высокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора,...
В корзину
14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...
В корзину
9,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
59,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры