Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)

Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)

Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 65 nCВремя нарастания (tr): 60 nsВыходная емкость (Cd): 500 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 OhmТип корпуса: TO3P
23,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19213
Описание
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: 2SK2370
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
  • Время нарастания (tr): 60 ns
  • Выходная емкость (Cd): 500 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
  • Тип корпуса: TO3P
Подробнее о товаре
bg-19213

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO3P
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
140 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.4 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
65 nC
Время нарастания (tr)
60 ns
Выходная емкость (Cd)
500 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
2SK2370
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
В корзину
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB (19219)

24,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
В корзину
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
В корзину
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)

15,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
В корзину
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
В корзину
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)

16,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
В корзину
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)

45,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
Поделиться
В корзину

27,00 грн
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт |Vds| – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 В |Vgs| – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 В |Vgs(th)| –...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти