Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P (19213)

Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 65 nCВремя нарастания (tr): 60 nsВыходная емкость (Cd): 500 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 OhmТип корпуса: TO3P
22,00 грн
Артикул:
bg-19213
Описание
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: 2SK2370
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
  • Время нарастания (tr): 60 ns
  • Выходная емкость (Cd): 500 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
  • Тип корпуса: TO3P
Подробнее о товаре
bg-19213

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Полярность
N
Тип корпуса
TO3P
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
140 W
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
65 nC
Время нарастания (tr)
60 ns
Выходная емкость (Cd)
500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.4 Ohm
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
2SK2370
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
12,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
27,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
28,00 грн
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов. Принцип работы термостата (термореле) KSD-01F с суффиксом H, замыкать электрическую цепь при достижении температуры срабатывания на своем корпусе. Обратите...
В корзину
8,00 грн
Транзисторы S8550. Технические характеристики Наименование производителя: S8550 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
58,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры