Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 125 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 VПороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 170 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 189 nCВремя роста (tr): 46 nsВыходная емкость (Cd): 980 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0075 OhmТип корпуса: TO263
20,00 грн
Артикул:
bg-19216
Описание
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новых
Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3712B
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 125 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • Пороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 170 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 189 nC
  • Время роста (tr): 46 ns
  • Выходная емкость (Cd): 980 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
  • Тип корпуса: TO263
Подробнее о товаре
bg-19216

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO263
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
339 W
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
189 nC
Выходная емкость (Cd)
980 pf
Время роста (tr)
46 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0075 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
HY3712B
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
13,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально...
89,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
7,00 грн
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощность (Pc): 0.07 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 Макcимально допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры