Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 125 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 VПороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 170 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 189 nCВремя роста (tr): 46 nsВыходная емкость (Cd): 980 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0075 OhmТип корпуса: TO263
22,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19216
Описание
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новых
Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3712B
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 125 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • Пороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 170 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 189 nC
  • Время роста (tr): 46 ns
  • Выходная емкость (Cd): 980 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
  • Тип корпуса: TO263
Подробнее о товаре
bg-19216

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO263
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
339 W
Время роста (tr)
46 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0075 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
189 nC
Выходная емкость (Cd)
980 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
HY3712B
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
В корзину
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)

9,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
В корзину
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
В корзину
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)

9,00 грн
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно...
В корзину
Поделиться
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
В корзину
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)

17,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)
В корзину
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)

95,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
В корзину
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)

20,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
В корзину
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

10,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
В корзину
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

9,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти