Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор HY3408A MOSFET N-ch 85V 140A (19221)
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 125 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 VПороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 170 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 189 nCВремя роста (tr): 46 nsВыходная емкость (Cd): 980 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0075 OhmТип корпуса: TO263
21,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-19216
Описание
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новых
Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3712B
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 125 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • Пороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 170 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 189 nC
  • Время роста (tr): 46 ns
  • Выходная емкость (Cd): 980 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
  • Тип корпуса: TO263
Подробнее о товаре
bg-19216

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO263
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
339 W
Время роста (tr)
46 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0075 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
189 nC
Выходная емкость (Cd)
980 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
HY3712B
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
В корзину
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

4,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
Поделиться
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
В корзину
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)
Транзистор структуры BC556 PNP 5шт (10485)

9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
В корзину
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
В корзину
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)

20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)
В корзину
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

9,00 грн
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты:...
В корзину
Поделиться
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
В корзину
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)

18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
В корзину
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти