Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)

Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 WПредельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 125 VПредельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 VПороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока Id |: 170 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 189 nCВремя роста (tr): 46 nsВыходная емкость (Cd): 980 pfСопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0075 OhmТип корпуса: TO263
20,00 грн
Артикул:
bg-19216
Описание
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новых
Технические характеристики
  • Наименование прибора: HY3712B
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 125 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
  • Пороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 170 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 189 nC
  • Время роста (tr): 46 ns
  • Выходная емкость (Cd): 980 pf
  • Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
  • Тип корпуса: TO263
Подробнее о товаре
bg-19216

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO263
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
339 W
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
189 nC
Выходная емкость (Cd)
980 pf
Время роста (tr)
46 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds)
0.0075 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
HY3712B
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
13,00 грн
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно...
23,00 грн
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходных каскадов и высококачественных усилителей. Технические характеристики Type - NPN Vceo - 200V...
В корзину
13,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...
В корзину
162,00 грн
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220Параметры:Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контактомКрайне высокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора,...
23,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры