Транзистор TIP122 TO220 (11433)

TIP122, Транзистор, [TO-220]. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр.
9,00 грн
Артикул:
bg-11433
Описание
TIP122, Транзистор, [TO-220]. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: to220ab
Подробнее о товаре
bg-11433

Характеристики

Структура
npn с darl Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
14,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
24,00 грн
Транзистор 2SK2370 K2370 20A 500V N-ch TO3P. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: 2SK2370Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
70,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры