Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)

Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 WПредельно допустимое напряжение стык-выток: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-выток: 20 VПорогое напряжение включения: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока: 150 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 163 nВремя роста (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds): 0.006 OhmТип корпуса: TO220
17,00 грн
Артикул:
bg-19217
Описание
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: NCE80H15
  • Тип транзизора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W
  • Предельно допустимое напряжение стык-выток: 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-выток: 20 V
  • Порогое напряжение включения: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 163 n
  • Время роста (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-19217

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
220 W
Время роста (tr)
24 ns
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
163 n
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Тип транзизора
MOSFET
Предельно допустимое напряжение стык-выток
80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-выток
20 V
Порогое напряжение включения
4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока
150 A
Сопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds)
0.006 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
NCE80H15
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
16,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
9,00 грн
Транзистор BC556 кремниевый, высокочастотный усилительный общего назначения, структуры - p-n-p. BC556 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой...
19,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
18,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
98,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
49,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры