Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)

Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 WПредельно допустимое напряжение стык-выток: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-выток: 20 VПорогое напряжение включения: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока: 150 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 163 nВремя роста (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds): 0.006 OhmТип корпуса: TO220
15,00 грн
Артикул:
bg-19217
Описание
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: NCE80H15
  • Тип транзизора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W
  • Предельно допустимое напряжение стык-выток: 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-выток: 20 V
  • Порогое напряжение включения: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 163 n
  • Время роста (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-19217

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
220 W
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
163 n
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Время роста (tr)
24 ns
Тип транзизора
MOSFET
Предельно допустимое напряжение стык-выток
80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-выток
20 V
Порогое напряжение включения
4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока
150 A
Сопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds)
0.006 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
NCE80H15
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
36,00 грн
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТок – коллектор (Ic) (макс.) – 60 АИмпульсный ток коллектора...
27,00 грн
Транзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IGW30N60T Маркировка: G30T60 Тип управляющего...
В корзину
9,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:...
В корзину
49,00 грн
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристикиНаименование: CRG40T60AN3HМаркировка: G40T60AN3HТип...
23,00 грн
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходных каскадов и высококачественных усилителей. Технические характеристики Type - NPN Vceo - 200V...
В корзину
12,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры