Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220 (19217)

Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 WПредельно допустимое напряжение стык-выток: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-выток: 20 VПорогое напряжение включения: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока: 150 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 163 nВремя роста (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds): 0.006 OhmТип корпуса: TO220
16,00 грн
Артикул:
bg-19217
Описание
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: NCE80H15
  • Тип транзизора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W
  • Предельно допустимое напряжение стык-выток: 80 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-выток: 20 V
  • Порогое напряжение включения: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 163 n
  • Время роста (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
  • Тип корпуса: TO220
Подробнее о товаре
bg-19217

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
220 W
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
163 n
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Время роста (tr)
24 ns
Тип транзизора
MOSFET
Предельно допустимое напряжение стык-выток
80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-выток
20 V
Порогое напряжение включения
4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока
150 A
Сопротивление сток-виток открытого транзистора (Rds)
0.006 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
Наименование прибора
NCE80H15
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
32,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...
В корзину
14,00 грн
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для...
В корзину
45,00 грн
Замена XNS15N120T, IGW15T120F, BT15T120, G15N120D, H15R1202, IHW15N120R2, 15N120HKDТранзистор индукционной плиты FGA15N120 с изолированным затвором IGBTТранзистор FGA15N120 подходит для замены XNS15N120T, IGW15T120F,...
В корзину
89,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
В корзину
14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры