Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV / DTБыстрое переключениеРабочая температура: 175C БезсвинцовыйПрименяется в системах коммутации
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18073
Описание
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Напряжение: 75 В
  • Ток: 80 А
  • RDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 А
  • Сверхнизкое сопротивление
  • Исключительные возможности DV / DT
  • Быстрое переключение
  • Рабочая температура: 175C
  • Безсвинцовый
  • Применяется в системах коммутации
Подробнее о товаре
bg-18073

Характеристики

Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

13,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
В корзину
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

21,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
В корзину
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247 (19229)

44,00 грн
Транзистор IGBT N-Ch IKW50N60H3 K50H603 600V 50A TO-247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
В корзину
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)

12,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
В корзину
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)

50,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
В корзину
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

10,00 грн
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: HY1707PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
В корзину
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)
Транзистор для сварочных инверторов IGBT RJH60F5 80A 600V (12822)

38,00 грн
Высокоскоростной транзистор RJH60F5 - используются в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А. По...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
В корзину
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107 5шт (11683)

8,00 грн
Биполярный транзистор BC557 P-N-P TO-92 КТ3107. Технические характеристики Наименование производителя: BC557 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти