Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV / DTБыстрое переключениеРабочая температура: 175C БезсвинцовыйПрименяется в системах коммутации
9,00 грн
Артикул:
bg-18073
Описание
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Напряжение: 75 В
  • Ток: 80 А
  • RDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 А
  • Сверхнизкое сопротивление
  • Исключительные возможности DV / DT
  • Быстрое переключение
  • Рабочая температура: 175C
  • Безсвинцовый
  • Применяется в системах коммутации
Подробнее о товаре
bg-18073

Характеристики

Рабочая температура
175C
Напряжение
75 В
Ток
80 А
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
13,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
93,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
52,00 грн
RFP064NPBF, Транзистор, N-канал 55В 98А [TO-247AC]. Транзисторы заводские, хорошего качества новые. Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А:...
10,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
14,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
206,00 грн
Полевой транзистор N-канальный FDL100N50F 500V 100A TO-264 100N50F - оригинал ON Semiconductor. Состояние - применяемый, выпаянный, перед отправкой проверяем на LCR-тестере.Технические характеристикиНаименование:...
В корзину
70,00 грн
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение коллектор-эмиттер VCES: 900VНапряжение затвор-эмиттер VGE: +-25VПостоянный ток коллектора IC: 60A (TC = 25°C), 42A (TC...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры