Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070)

Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: K2837Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 90 nCВремя нарастания (tr): 250 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 OhmТип корпуса: TO-247
39,00 грн
Артикул:
bg-18070
Описание
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование прибора: K2837
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
  • Время нарастания (tr): 250 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
  • Тип корпуса: TO-247
Подробнее о товаре
bg-18070

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO-247
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
271 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.19 Ohm
Наименование прибора
K2837
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
90 nC
Время нарастания (tr)
250 ns
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
54,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
17,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
30,00 грн
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: STW20NM60Маркировка: W20NM60Тип...
В корзину
31,00 грн
Транзистор для термостата KSD-01F JUC-31F D 60 градуссов. Принцип работы термостата (термореле) KSD-01F с суффиксом H, замыкать электрическую цепь при достижении температуры срабатывания на своем корпусе. Обратите...
В корзину
14,00 грн
Биполярный транзистор MJE3055 NPN 70V 10A TO126. Технические характеристики Наименование производителя: MJE3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое...
В корзину
14,00 грн
Транзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
39,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры