Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.4 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 63 nCВремя нарастания (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 OhmТип корпуса: TO220FP
18,00 грн
Артикул:
bg-18079
Описание
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.4 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
  • Время нарастания (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FP
Подробнее о товаре
bg-18079

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FP
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
34 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.33 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
63 nC
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Время нарастания (tr)
24 ns
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...
В корзину
6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
В корзину
13,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
14,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
18,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры