Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.4 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 63 nCВремя нарастания (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 OhmТип корпуса: TO220FP
18,00 грн
Артикул:
bg-18079
Описание
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.4 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
  • Время нарастания (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FP
Подробнее о товаре
bg-18079

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FP
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
34 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.33 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
63 nC
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Время нарастания (tr)
24 ns
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
14,00 грн
Транзистор малой мощности 2SA1020 A1020 TO-92L 2A 50V PNP 10шт.ХарактеристикиСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 ВНапряжение коллектор-база, не более: -50 ВНапряжение эмиттер-база, не более:...
В корзину
10,00 грн
Регулятор напряжения RU7088R to 220 Mosfet. Регуляторы выпаяные. Технические характеристики Параметры: 75V / 80A RDS (ON) = 7mΩ (тип) VGS = 10VIDS = 40A Сверхнизкое сопротивлением Быстрое переключение Рабочая...
В корзину
21,00 грн
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
14,00 грн
Транзисторы SS8050 TO 92. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое...
В корзину
61,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
51,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
3,00 грн
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Наименование производителя: D882 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 Макcимально допустимое...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры