Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070)
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.4 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 63 nCВремя нарастания (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 OhmТип корпуса: TO220FP
19,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18079
Описание
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.4 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
  • Время нарастания (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FP
Подробнее о товаре
bg-18079

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FP
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
34 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.33 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
63 nC
Время нарастания (tr)
24 ns
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
В корзину
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)

20,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
Поделиться
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
В корзину
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)

13,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
Поделиться
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
В корзину
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)

65,00 грн
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование: IKW75N60H3 Маркировка: K75H603 Тип управляющего...
В корзину
Поделиться
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
В корзину
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

54,00 грн
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
В корзину
Поделиться
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
В корзину
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)
Транзистор биполярный BC547 NPN 45 В 100 мА 5шт (10486)

11,00 грн
Биполярный высокочастотный npn транзистор BC547. Особенности Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Сфера применения:...
В корзину
Поделиться
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
В корзину
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)
P-канальный МОП транзистор MOSFET IRF9540N (11129)

17,00 грн
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Максимальный ток стока - 23А Максимальное напряжение сток-исток - 100V Сопротивление сток-исток...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
В корзину
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

12,00 грн
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: IRFS640Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
В корзину
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch (19222)

15,00 грн
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: HY3210PТип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти