Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070)
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.4 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затвора (Qg): 63 nCВремя нарастания (tr): 24 nsВыходная емкость (Cd): 520 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 OhmТип корпуса: TO220FP
18,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18079
Описание
Транзистор полевой FQPF15N60 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.4 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
  • Время нарастания (tr): 24 ns
  • Выходная емкость (Cd): 520 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FP
Подробнее о товаре
bg-18079

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FP
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
34 W
Максимальная температура канала (Tj)
150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
63 nC
Время нарастания (tr)
24 ns
Выходная емкость (Cd)
520 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.33 Ohm
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
В корзину
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)

50,00 грн
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиКорпус TO-3PIGBT транзисторVces = 1200 ВVges = ±20 ВIc 25°C...
В корзину
Поделиться
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
В корзину
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)

18,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
В корзину
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 55В 74А TO-220AB (11040)

20,00 грн
Транзистор полевой MOSFET IRF4905 PBF P-канал 55В 74А TO-220AB. IRF4905 - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. Технические характеристики Структура - p-канал Максимальное...
В корзину
Поделиться
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
В корзину
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)
Биполярный NPN транзистор E13009 400V 12A аналог MJE13009 (16654)

36,00 грн
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A.Наименование производителя: FJP13009Маркировка: FJP13009Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
В корзину
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти