Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)

Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 75 nCВремя нарастания (tr): 95 nsВыходная емкость (Cd): 500 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 OhmТип корпуса: TO220AB
9,00 грн
Артикул:
bg-18078
Описание
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: TK80E08K3
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
  • Время нарастания (tr): 95 ns
  • Выходная емкость (Cd): 500 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB
Подробнее о товаре
bg-18078

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220AB
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
200 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.009 Ohm
Наименование
TK80E08K3
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
75 nC
Время нарастания (tr)
95 ns
Выходная емкость (Cd)
500 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
3,00 грн
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база,...
В корзину
162,00 грн
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220Параметры:Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контактомКрайне высокая частота переключенияНет платы за обратное восстановлениеНизкий заряд затвора,...
В корзину
9,00 грн
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: CJE13007Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое...
В корзину
53,00 грн
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247.Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллектор:40А Рассеиваемая мощность:116Вт Корпус:TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер:±20В Ток коллектора...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры