Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)

Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)

Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: TK80E08K3Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 75 nCВремя нарастания (tr): 95 nsВыходная емкость (Cd): 500 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 OhmТип корпуса: TO220AB
9,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18078
Описание
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: TK80E08K3
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
  • Время нарастания (tr): 95 ns
  • Выходная емкость (Cd): 500 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB
Подробнее о товаре
bg-18078

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220AB
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
200 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.009 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
75 nC
Выходная емкость (Cd)
500 pf
Время нарастания (tr)
95 ns
Наименование
TK80E08K3
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
В корзину
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126 (12515)

13,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
В корзину
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

23,00 грн
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB.Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-исток:60В Ток стока:81А Рассеиваемая мощность:170Вт Корпус:TO220AB Напряжение затвор-исток:±20В...
В корзину
Поделиться
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
В корзину
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)
Транзистор IR MOSFET N-Канал IRF3205PBF (11678)

19,00 грн
IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]. Транзистор рабочий, новый, выпаянный с готовых плат.Технические параметрыСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55Максимальный ток сток-исток...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
В корзину
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

14,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
В корзину
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)

33,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти