Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
Транзистор биполярный Toshiba TTC5200 PNP 230V 15A TO-264 (18296)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: HY1707PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 88 nCВремя нарастания (tr): 10 nsВыходная емкость (Cd): 900 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 OhmТип корпуса: TO220FB-3L
11,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18072
Описание
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: HY1707P
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 88 nC
  • Время нарастания (tr): 10 ns
  • Выходная емкость (Cd): 900 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FB-3L
Подробнее о товаре
bg-18072

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FB-3L
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
178 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.007 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
88 nC
Выходная емкость (Cd)
900 pf
Время нарастания (tr)
10 ns
Наименование
HY1707P
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
В корзину
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)
P-канальный полевой транзистор IRF9530N (11460)

19,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)
В корзину
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18075)

14,00 грн
Транзистор полевой FQP19N20C 19A 200V N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FQP19N20CТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 WПредельно...
В корзину
Поделиться
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
В корзину
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

15,00 грн
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между...
В корзину
Поделиться
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
В корзину
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)

6,00 грн
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база...
В корзину
Поделиться
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
В корзину
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET (19220)

15,00 грн
Транзистор NCE80H12 80V 120A TO220-3 N-ch MOSFET. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H12Тип транзистора: MOSFETПолярность:...
В корзину
Поделиться
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
В корзину
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)
Полевой транзистор с затвором IRF540N MOSFET (11128)

15,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
В корзину
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

10,00 грн
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал.Технические характеристикиНапряжение: 75 ВТок: 80 АRDS (ВКЛ) = 8 мОм, VGS = 10 В, IDS = 40 АСверхнизкое сопротивлениеИсключительные возможности DV /...
В корзину
Поделиться
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
В корзину
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)

98,00 грн
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Технические характеристики Максимальная рабочая температура: 150°C Количество выводов: 3 вывод(-ов)...
В корзину
Поделиться
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
В корзину
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225 (16686)

14,00 грн
Транзистор IRLR6225TRPBF IRLR6225 SMD TO252 N-канал 100A 25V LR6225.Технические характеристикиПроизводитель:International Rectifier (IR)Корпус:DPAKСтруктура:NСхема соединения:ОдиночныйV(BR)DSS - напряжение пробоя...
В корзину
Поделиться
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
В корзину
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)

9,00 грн
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В Максимально...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти