Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: HY1707PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 88 nCВремя нарастания (tr): 10 nsВыходная емкость (Cd): 900 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 OhmТип корпуса: TO220FB-3L
11,00 грн
Артикул:
bg-18072
Описание
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: HY1707P
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 88 nC
  • Время нарастания (tr): 10 ns
  • Выходная емкость (Cd): 900 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FB-3L
Подробнее о товаре
bg-18072

Характеристики

Тип корпуса
TO220FB-3L
Полярность
N
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
178 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.007 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
88 nC
Выходная емкость (Cd)
900 pf
Время нарастания (tr)
10 ns
Наименование
HY1707P
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
9,00 грн
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Макcимально допустимое напряжение...
В корзину
17,00 грн
Транзистор NCE80H15 80H15 150A 80V N-ch MOSFET TO220. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиНаименование прибора: NCE80H15Тип транзизора:...
В корзину
10,00 грн
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: CJE13007Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое...
В корзину
15,00 грн
IRF540N – это новый силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом, разработанный компанией International Rectifier. Транзистор выпускается в прочном монолитном корпусе TO-220AB, и при больших токах...
В корзину
48,00 грн
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, чем у новых.Технические характеристикиТип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая...
В корзину
14,00 грн
Биполярный транзистор MJE2955 PNP 90V 10A TO126. Технические характеристики Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70...
В корзину
22,00 грн
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем у новыхТехнические характеристикиНаименование прибора: HY3712BТип транзистора: MOSFETПолярность:...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры