Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: HY1707PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 88 nCВремя нарастания (tr): 10 nsВыходная емкость (Cd): 900 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 OhmТип корпуса: TO220FB-3L
10,00 грн
Артикул:
bg-18072
Описание
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: HY1707P
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 88 nC
  • Время нарастания (tr): 10 ns
  • Выходная емкость (Cd): 900 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FB-3L
Подробнее о товаре
bg-18072

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FB-3L
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
178 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.007 Ohm
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
88 nC
Выходная емкость (Cd)
900 pf
Время нарастания (tr)
10 ns
Наименование
HY1707P
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
В корзину
10,00 грн
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 60 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В...
В корзину
91,00 грн
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: FGH60N60SMDТип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600Напряжение...
18,00 грн
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом Vds=100V, Id=14A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C. Технические характеристики Максимальный ток стока -14А Максимальное напряжение сток-исток -100V...
33,00 грн
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220.Технические характеристикиСтруктура: n-каналМаксимальное напряжение сток-виток: 55ВМаксимальный...
17,00 грн
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспособность.Технические характеристики Наименование прибора: HY3610Тип транзистора: MOSFET...
В корзину
13,00 грн
Регулируемый прецизионный стабилизатор напряжения TL431. Внутри находится обычный операционный усилитель ОУ (треугольник на блок-схеме) с выходным транзистором и источником опорного напряжения. Только здесь эта схема...
В корзину
25,00 грн
Транзистор IRFB3206 MOSFET 210A 60V N-ch TO220AB. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у новых. Технические характеристики Наименование прибора: IRFB3206 Тип транзистора: MOSFET...

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры