Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.
Корзина0
0продукт(ы)
Ваша корзина пуста.
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)

Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
Транзистор биполярный Toshiba TTC5200 PNP 230V 15A TO-264 (18296)
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование: HY1707PТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 88 nCВремя нарастания (tr): 10 nsВыходная емкость (Cd): 900 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 OhmТип корпуса: TO220FB-3L
10,00 грн
Поделиться
QR-код
Артикул:
bg-18072
Описание
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики
  • Наименование: HY1707P
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 88 nC
  • Время нарастания (tr): 10 ns
  • Выходная емкость (Cd): 900 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
  • Тип корпуса: TO220FB-3L
Подробнее о товаре
bg-18072

Характеристики

Полярность
N
Тип корпуса
TO220FB-3L
Тип транзистора
MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)
178 W
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)
0.007 Ohm
Наименование
HY1707P
Максимальная температура канала (Tj)
175 °C
Общий заряд затвора (Qg)
88 nC
Время нарастания (tr)
10 ns
Выходная емкость (Cd)
900 pf
Корзина
0 Корзина
Обновление склада
01 февраля
11 сентября
13 декабря
13 июля
21 февраля
23 августа
23 марта
23 сентября
24 января
28 октября
30 декабря
30 сентября
Гарантія та повернення
Отзывы
Комментариев нет

Оставьте отзыв

  • Fit:
  • Quality:
Опишите этот продукт простыми и короткими словами.
Загрузка изображений:
Бросьте изображения сюда или нажмите, чтобы загрузить.
В этой категории 16 товаров:
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
В корзину
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)

12,00 грн
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А - 10 Максимальное...
В корзину
Поделиться
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
В корзину
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)

15,00 грн
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.Наименование: IRF3710Тип транзистора:...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
В корзину
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)

8,00 грн
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал.Технические характеристикиНаименование прибора: RU6888RТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое...
В корзину
Поделиться
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
В корзину
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)

23,00 грн
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходных каскадов и высококачественных усилителей. Технические характеристики Type - NPN Vceo - 200V...
В корзину
Поделиться
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
В корзину
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)
Транзистор полевой IRF530 MOSFET (10241)

18,00 грн
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 90.0 мОм Ток затвора 17 А...
В корзину
Поделиться

Меню

Поделиться

QR-код

Параметры

Нажмите, чтобы смотреть больше продуктов.
Товаров не найдено.

Please sign in first.

Войти